型号：QM50HJ-H
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：TO-220F
　　漏源电压(Vds)：400V
　　漏极电流(Id)：50A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值45mΩ @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗(Pd)：150W
　　输入电容(Ciss)：约3000pF
　　输出电容(Coss)：约100pF
　　反向恢复时间(trr)：约50ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

QM50HJ-H具备优异的电气特性和热性能，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合，这使得它在高频率开关应用中能够显著降低导通损耗，提升整体电源转换效率。该器件采用了优化的元胞设计和平面工艺，在保证高击穿电压的同时，有效降低了Rds(on)，从而减少发热并延长使用寿命。其高达50A的连续漏极电流能力使其适用于重载条件下的稳定运行，而400V的漏源耐压则确保了在高压输入环境中的安全操作。器件的栅极结构经过特殊设计，具有较低的输入电容和反馈电容，有助于减小驱动损耗，并提高开关速度，特别适合用于高频PWM控制场景。
　　另一个重要特性是其出色的热管理能力。TO-220F封装不仅提供了机械强度和绝缘性能，还通过底部金属片实现有效的热传导，便于安装散热器以增强散热效果。这种封装形式广泛应用于工业级电源模块中，支持长时间满负荷运行而不发生热失效。此外，QM50HJ-H内置体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰，提升了系统的动态响应能力和稳定性。
　　从可靠性角度看，QM50HJ-H通过严格的生产测试流程，具备良好的抗静电能力（ESD）和抗浪涌能力。其能够在高温、高湿及剧烈温度变化的恶劣环境中保持性能稳定，适用于工业自动化、UPS不间断电源、太阳能逆变器等对长期运行可靠性要求较高的领域。器件还具备一定的抗雪崩能力，能够在意外过压事件中吸收一定能量而不损坏，进一步增强了系统的鲁棒性。总体而言，QM50HJ-H凭借其高性能参数、稳定的制造工艺和广泛的工作范围，成为中高压功率MOSFET市场中的主流选择之一。

QM50HJ-H广泛应用于各类中高功率电力电子设备中，尤其是在需要高效能和高可靠性的电源管理系统中表现突出。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC和DC-DC转换器，其中该MOSFET作为主开关管用于实现高效的能量转换。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适用于大功率降压（Buck）、升压（Boost）以及半桥和全桥拓扑结构中，能够有效降低系统温升，提高整体能效。
　　在电机驱动领域，QM50HJ-H常被用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为上下桥臂的开关元件，实现正反转控制和调速功能。其快速的开关响应能力和良好的热稳定性确保了电机在频繁启停和负载波动下的平稳运行。此外，在逆变器系统中，例如太阳能光伏逆变器或不间断电源（UPS）中，QM50HJ-H可用于DC到AC的转换环节，承担高频斩波任务，将直流电转换为交流电输出。
　　该器件也常见于工业控制设备、焊接电源、充电器、LED驱动电源等产品中。在这些应用中，QM50HJ-H不仅能承受较高的电压应力，还能在复杂电磁环境下保持稳定工作。其符合环保标准的设计也使其适用于出口型电子产品和绿色能源项目。总之，QM50HJ-H凭借其宽泛的应用适应性和卓越的性能表现，已成为多种电力电子系统中不可或缺的核心功率器件。

KIA50H10PI
　　STP50NM60FD
　　IRFGB40
　　FQP50N40