存储器类型：FRAM
　　容量：1 Mbit（128 KB）
　　接口类型：SPI
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8引脚 SOIC
　　最大时钟频率：40 MHz
　　读写耐久性：10^14 次/位
　　数据保持时间：10年（无需电源）

FM25S01BI3 的核心优势在于其 FRAM 技术。这种技术结合了 RAM 和 Flash 的优点，具有类似 RAM 的高速写入能力，且无需擦除操作即可直接写入数据。相比传统的EEPROM和Flash，FM25S01BI3 的读写耐久性高达10^14次，远远超出EEPROM的10^6次左右，适用于频繁写入的场景。
　　此外，该芯片在断电情况下仍可保持数据长达10年，无需电池支持。SPI接口使其能够轻松集成到嵌入式系统中，最高40MHz的时钟频率确保了高速数据传输。FM25S01BI3 的低功耗特性也使其适用于便携式设备和工业控制系统。
　　芯片内置硬件写保护机制，防止意外数据写入。同时，它具备高抗干扰能力，在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）稳定运行，适用于严苛环境下的应用。

FM25S01BI3 被广泛应用于需要高性能、高可靠性和频繁数据写入的场景。例如，在工业自动化系统中用于记录传感器数据；在医疗设备中用于存储病人信息和设备运行日志；在智能电表和能源管理系统中用于存储能耗数据；以及在汽车电子系统中用于保存关键参数和诊断信息。
　　由于其高速写入能力和低功耗特性，该芯片也适合用于物联网（IoT）设备、数据记录仪和便携式仪器仪表。此外，它还可作为 SRAM 或 EEPROM 的替代品，提升系统整体性能和可靠性。

MB85RS1MT-0A（富士通）、CYFRAM-FS01-Y（Cypress）、ADUCM360（Analog Devices，集成FRAM的MCU）