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LTL42TB6NH184 发布时间 时间:2025/9/6 6:22:26 查看 阅读:10

LTL42TB6NH184是一款由Renesas Electronics生产的DDR4 SDRAM(双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器)模块。该模块专为高性能计算和服务器应用设计,具备高容量、高速度和低功耗的特点。DDR4 SDRAM相较于前代DDR3,在带宽、功耗和稳定性方面都有显著提升。LTL42TB6NH184模块通常用于服务器、工作站和高端PC系统中,以满足对内存带宽和容量的高要求。

参数

容量:32GB
  内存类型:DDR4 SDRAM
  频率:2400MHz
  电压:1.2V
  CL延迟:CL17
  模块类型:ECC Registered DIMM
  内存总线宽度:72位
  工作温度:0°C至+85°C
  封装类型:288-pin RDIMM

特性

LTL42TB6NH184 DDR4内存模块采用了先进的技术,具备出色的性能和可靠性。该模块的ECC(错误校正码)功能可以检测并纠正单比特内存错误,从而提高系统的稳定性和数据完整性。此外,模块采用了Registered DIMM设计,内置寄存器以增强信号稳定性,适用于需要高容量和高可靠性的服务器和工作站系统。
  该模块的工作频率为2400MHz,提供更高的数据传输速率,能够显著提升系统性能。相比于DDR3内存,DDR4的电压降低至1.2V,有效减少了功耗并降低了发热,有助于构建更加节能和环保的计算平台。
  LTL42TB6NH184模块的CL17延迟参数保证了在高频运行下的响应速度,同时其72位总线宽度(包括8位ECC校验位)进一步增强了数据传输的可靠性。模块支持自动刷新和自刷新功能,可在不访问内存时降低功耗,延长系统续航时间。
  该内存模块的设计充分考虑了兼容性和稳定性,符合JEDEC标准,确保在各种主板和系统中的可靠运行。此外,其工作温度范围较宽(0°C至+85°C),能够适应不同的环境条件,适用于工业级应用和苛刻的操作环境。

应用

LTL42TB6NH184 DDR4内存模块广泛应用于高性能服务器、数据中心、企业级存储系统、工作站和高端个人电脑。由于其ECC和Registered功能,该模块特别适合需要高可靠性和数据完整性的任务关键型应用,如数据库服务器、虚拟化平台、云计算基础设施和科学计算等场景。此外,该模块也适用于需要大量内存和高带宽的应用,如视频编辑、3D建模、大型游戏服务器等。

替代型号

Hynix HMA84GR7CPR4N-UH
  三星 M393A4G43AB1-CRC
  美光 MTA18ASF2G72PZ-2G6D1

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