制造商：Qorvo
　　产品类别：射频晶体管
　　技术类型：GaN HEMT
　　材料体系：GaN on SiC
　　工作频率范围：1.8GHz - 2.2GHz
　　输出功率（Pout）：50W
　　增益：18dB 典型值
　　漏极电压（Vds）：28V
　　栅极电压（Vgs）：可调，典型关断电压 -2.5V
　　静态电流（Idq）：依据偏置条件可调
　　封装类型：陶瓷金属封装
　　输入/输出匹配：片内匹配
　　驻波比耐受能力：可承受2:1 VSWR
　　热阻（Rth）：较低热阻，具体值参考数据手册
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C 结温

QM50E3Y-2H采用Qorvo成熟的GaN on SiC工艺平台，具备高功率密度和优异的热管理能力。其核心优势在于能够在28V的工作电压下持续输出高达50W的射频功率，同时保持较高的功率附加效率（PAE），典型值可达60%以上，这显著降低了能源损耗并减少了散热系统的负担。该器件具有宽频带响应特性，在1.8GHz至2.2GHz频率范围内表现出平坦的增益响应和稳定的输出功率，非常适合用于多载波、宽带信号放大的应用场景。
　　该晶体管内置输入匹配网络，简化了外部电路设计，降低了系统集成难度，并提升了整体一致性与可靠性。此外，QM50E3Y-2H具备出色的耐用性和抗过载能力，能够承受一定程度的失配状态（如2:1 VSWR）而不损坏，这对于实际部署中的不可预测负载变化至关重要。其栅极采用负压关断设计（典型Vgs = -2.5V），确保器件在关闭状态下完全截止，防止意外导通导致的热失控或信号失真。
　　得益于SiC衬底的高热导率，QM50E3Y-2H拥有较低的结到外壳热阻，使得热量可以高效传导至散热器，从而支持长时间高功率连续波（CW）或脉冲工作模式。该器件还具备良好的长期可靠性，在高温高湿环境下仍能保持稳定的电气性能，符合严格的工业和军用标准要求。其金属陶瓷封装不仅提供了优异的气密性，还能抵抗恶劣环境下的腐蚀与老化，延长使用寿命。这些特性使其成为高端射频功率应用的理想选择。

QM50E3Y-2H广泛应用于各类高性能射频系统中，尤其适用于无线通信基础设施领域，例如4G LTE和5G NR基站中的功率放大模块，能够在高数据吞吐量和多用户并发场景下提供稳定可靠的信号放大能力。此外，该器件也常用于雷达系统，特别是在地面移动雷达、空中交通管制雷达以及相控阵雷达中作为发射链路的核心功率放大单元，利用其高效率和高线性度提升探测距离与分辨率。
　　在工业、科学和医疗（ISM）频段设备中，QM50E3Y-2H可用于驱动射频能量发生器，如等离子体生成、射频加热和材料处理设备，满足高功率连续波输出的需求。其宽带特性也使其适用于测试与测量仪器中的宽带射频源构建，例如信号发生器和功率放大站台，为研发和生产提供精准可控的激励信号。
　　由于其出色的可靠性和环境适应性，QM50E3Y-2H还可用于航空航天与国防电子系统，包括战术通信电台、电子战（EW）系统和卫星通信地面站。在这些对系统稳定性要求极高的场合，该器件能够确保在极端温度、振动和电磁干扰环境下持续稳定工作。总之，QM50E3Y-2H凭借其高功率、高效率和高可靠性的综合优势，已成为现代射频工程中不可或缺的关键元器件之一。

QM50E3Y-2