TK73233M 时间：2025/8/13 17:16:31 阅读：12

TK73233M是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高功率密度的应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。TK73233M适用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备。该MOSFET采用SOP（Small Outline Package）封装，具备良好的热管理和空间节省特性，适合现代电子产品对小型化和高效能的双重要求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.3mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：SOP（表面贴装）

特性

TK73233M具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）为3.3mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。对于需要高电流承载能力的应用（如DC-DC转换器和电池管理系统），这一特性尤为重要。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，优化了电场分布，从而提高了器件的开关速度和稳定性。这种结构还减少了开关损耗，使得TK73233M在高频开关应用中表现卓越。
　　此外，TK73233M具有高栅极击穿电压（±20V），增强了器件在高电压瞬态条件下的可靠性。其漏源电压额定值为30V，适用于中等电压级别的功率管理应用。
　　该器件的连续漏极电流高达100A，在良好的散热条件下能够支持高功率负载。结合其100W的功耗能力，TK73233M能够在紧凑的空间中处理大电流应用，适用于要求高性能和高可靠性的工业和消费类电子产品。
　　最后，TK73233M采用SOP封装，具备良好的热管理性能，有助于在高负载条件下维持稳定的运行温度。这种封装形式也方便PCB布局，适合自动化生产和表面贴装工艺。

应用

TK73233M广泛应用于多种电力电子系统和设备中，尤其是在需要高效率和高电流承载能力的场合。
　　在电源管理领域，TK73233M常用于同步整流DC-DC转换器，作为主开关或同步整流开关，其低导通电阻和快速开关特性可显著提高转换效率。此外，该MOSFET也适用于负载开关电路，用于控制电源的通断，保护系统免受过载或短路的影响。
　　在电机控制方面，TK73233M可用于H桥驱动电路，控制直流电机或步进电机的方向和速度。其高电流能力和快速响应特性使其成为电机驱动器中的理想选择。
　　在电池供电设备中，如笔记本电脑、平板电脑和便携式电源管理系统，TK73233M可用于电池充放电管理电路，确保高效的能量传输和稳定的系统运行。
　　另外，该MOSFET也适用于服务器电源、工业自动化设备、LED照明驱动器以及各类电源适配器等应用场合。其高可靠性和优异的热管理性能，使其在高温环境中也能保持稳定运行。