时间：2025/5/26 12:21:23
阅读：21
FQD5P10是一种N沟道功率MOSFET，采用PDFN33-8封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种高效能开关应用。它通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（Rds(on)）：9mΩ
栅极电荷：20nC
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：PDFN33-8
FQD5P10具有较低的导通电阻，能够有效减少传导损耗，提高整体效率。
其快速开关能力使得该器件在高频开关应用中表现出色。
此外，该MOSFET具备较高的雪崩耐量，增强了在过载或异常条件下的可靠性。
该器件的工作结温范围较宽，适应多种恶劣环境下的使用需求。
FQD5P10广泛应用于各种需要高效功率转换的场合，包括但不限于以下领域：
1. 降压DC-DC转换器中的开关元件。
2. 负载开关以实现电路保护功能。
3. 在电机驱动电路中作为功率输出级。
4. 电池管理系统中的功率通断控制。
5. 各类便携式电子设备的电源管理模块。
FDP5800
IRF740
AO3400
