类型：增强型GaN HEMT
　　最大漏极电压（Vds）：50 V
　　连续漏极电流（Idc）：典型值10 A
　　输出功率（Pout）：50 W（典型值，特定频率下）
　　工作频率范围：1.8 GHz - 3.8 GHz
　　增益：18 dB（典型值）
　　功率附加效率（PAE）：≥65%（典型值）
　　输入/输出阻抗：50 Ω 匹配设计
　　封装类型：螺栓式金属封装或陶瓷法兰封装
　　热阻（Rth）：0.35 °C/W（结到外壳）
　　栅极阈值电压（Vth）：约2.5 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C（结温）
　　存储温度范围：-55°C 至 +175°C

QM50DY-H的核心优势在于其基于GaN-on-SiC技术平台所实现的卓越射频性能。GaN材料具有宽禁带、高击穿电场和高电子饱和速度的物理特性，使其能够在远高于传统硅基LDMOS器件的电压下工作，从而显著提高功率密度和效率。该器件在3.5 GHz频段附近可实现超过50W的连续波（CW）输出功率，同时保持18 dB以上的功率增益和65%以上的功率附加效率，这一性能指标在同级别器件中处于领先水平。其高效率不仅降低了能源消耗，也减少了散热系统的复杂性和体积，有助于实现紧凑型射频模块设计。
　　该器件具备出色的热管理能力，得益于SiC衬底高达330 W/(m·K)的热导率，热量能够迅速从有源区传导至封装外壳，有效抑制结温上升，提升器件长期工作的可靠性和寿命。此外，QM50DY-H内部集成了优化的输入/输出匹配网络，简化了外部电路设计，缩短了产品开发周期。其增强型栅结构设计（E-mode）使得器件在正常工作时需要正栅压导通，提高了系统安全性与驱动兼容性，尤其适用于数字预失真（DPD）系统和多载波放大应用。
　　在可靠性方面，QM50DY-H经过严格的应力测试和老化验证，符合工业级和电信级应用标准，具备优异的抗负载失配能力（VSWR耐受性），即使在恶劣的驻波条件下也能保持稳定运行，避免因天线故障或环境干扰导致的器件损坏。其坚固的金属或陶瓷封装形式支持高强度焊接或螺栓安装，确保良好的电气连接和热接触。综合来看，QM50DY-H是一款面向高端射频功率应用的先进GaN晶体管，适用于追求高性能、小型化和高能效的现代通信系统设计。

QM50DY-H主要应用于需要高功率、高效率和宽带性能的射频放大系统中。其最典型的应用场景是作为基站发射链路中的主功率放大器（PA）或Doherty放大器的载波与峰值臂器件，广泛服务于4G LTE和5G NR宏蜂窝基站，特别是在2.6 GHz、3.5 GHz等主流频段表现出色。此外，该器件也适用于点对点微波通信系统，用于构建高容量、长距离的无线回传链路，满足城域网和骨干网的数据传输需求。
　　在公共安全和军事通信领域，QM50DY-H可用于宽带战术电台、应急通信设备和电子战系统，其宽频带响应和高线性度有助于支持多模式、多频段操作。在雷达系统中，该器件可用于相控阵雷达的发射模块（T/R模块），提供高脉冲功率输出，增强探测距离和分辨率。工业应用方面，它可被集成于射频加热、等离子体生成和医疗射频消融设备中，利用其稳定的高功率输出实现精确能量控制。
　　由于其增强型栅极特性，QM50DY-H还特别适合与现代数字控制系统配合使用，例如结合包络跟踪（ET）和数字预失真（DPD）技术，进一步提升系统整体效率和信号质量。其高可靠性和环境适应性也使其适用于户外部署、车载通信和航空航天等严苛环境下的射频子系统。

NPTB00005, QPD1015, CGH40050F