2SK2690 时间：2025/9/23 14:26:49 阅读：12

2SK2690是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高电流和低导通电阻的功率应用场合。该器件采用先进的沟槽式硅栅极工艺制造，具有优异的电气性能和热稳定性，能够在较高的电压和电流条件下可靠工作。2SK2690特别适用于需要小型化设计和高效能表现的现代电子设备中，例如笔记本电脑适配器、LED照明驱动电路以及工业控制模块等。
　　该MOSFET封装形式为SOP（小外形封装），具体为SOP-8或类似的小型表面贴装封装，便于在紧凑型PCB布局中使用。其引脚配置通常符合标准引脚排列，便于与其他兼容器件进行替换或升级。由于其具备良好的散热性能与封装设计，2SK2690可以在不使用额外散热片的情况下处理一定范围内的功率损耗，从而降低系统整体成本和复杂度。
　　作为一款高性能功率MOSFET，2SK2690的设计注重于降低开关损耗和导通损耗之间的平衡，使其在高频开关环境下依然保持较高的能效水平。此外，该器件还具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，提升了在恶劣工作环境下的可靠性。制造商提供了完整的数据手册和技术支持文档，帮助工程师完成选型、热设计及EMI优化等工作。

参数

型号：2SK2690
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：14A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：56A
　　最大功耗（Pd）：2.5W（@Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（@Vgs=10V, Id=7A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：1300pF（@Vds=15V, Vgs=0V）
　　输出电容（Coss）：430pF
　　反向传输电容（Crss）：90pF
　　栅极电荷（Qg）：23nC（@Vgs=10V）
　　上升时间（tr）：25ns
　　下降时间（tf）：20ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOP-8

特性

2SK2690的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V且Id=7A的工作条件下仅为8.5mΩ，这一参数显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。这对于电池供电设备或对能效要求严格的电源系统尤为重要。低Rds(on)也有助于减少发热，从而延长元器件寿命并提升系统可靠性。同时，该器件采用了优化的芯片结构设计，在保证低导通电阻的同时维持了良好的热稳定性和长期工作耐久性。
　　另一个关键特性是其优秀的开关性能。2SK2690具有较低的栅极电荷（Qg=23nC）和输入/输出电容，这意味着在高频开关应用中所需的驱动能量较小，能够有效减少开关过程中的动态损耗。这使得它非常适合用于工作频率较高的DC-DC转换器、同步整流电路以及其他需要快速开关响应的拓扑结构中。此外，较低的反向传输电容（Crss）有助于抑制米勒效应，减少不必要的寄生振荡，从而提高电路稳定性。
　　该器件还具备良好的热性能和封装设计。SOP-8封装不仅体积小巧，适合高密度PCB布局，而且通过暴露焊盘（exposed pad）技术增强了散热能力，允许热量更有效地传导至PCB地层或散热区域。这种设计使得2SK2690即使在较高负载下也能保持较低的结温升，避免因过热导致性能下降或损坏。
　　2SK2690具有较宽的安全工作区（SOA），可在多种负载条件下稳定运行，并具备一定的抗雪崩击穿能力，增强了其在异常工况下的鲁棒性。此外，其栅氧层经过特殊处理，可承受高达±20V的栅源电压，提升了抗静电（ESD）能力和操作安全性。这些综合特性使2SK2690成为中小功率开关电源和电机驱动领域中极具竞争力的选择。

应用

2SK2690广泛应用于各类中低电压、中高电流的开关电源系统中，尤其是在便携式电子产品和工业控制设备中表现出色。典型应用包括但不限于同步整流型DC-DC降压转换器（Buck Converter），其中作为下管或上管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率并减少能量损失。在笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中，2SK2690常被用于多相供电架构中的功率级设计，以满足处理器和GPU对大电流、低电压供电的需求。
　　在LED照明驱动电路中，该MOSFET可用于恒流控制拓扑，如升压（Boost）、降压-升压（Buck-Boost）或SEPIC结构，实现高效的电能转换和稳定的亮度调节。其快速响应能力和低静态功耗有助于提升灯具的整体效能和调光精度。
　　此外，2SK2690也适用于电机驱动应用，例如微型直流电机、步进电机或风扇控制电路。在此类应用中，MOSFET作为H桥或半桥结构中的开关元件，负责控制电流方向和大小，实现精确的速度与转矩调节。得益于其高电流承载能力和良好的热管理特性，2SK2690能够在频繁启停和负载变化的工况下保持稳定运行。
　　其他应用场景还包括电池管理系统（BMS）、USB PD快充适配器、无线充电发射端功率级、逆变器模块以及各种嵌入式控制系统中的负载开关功能。由于其SOP-8封装易于自动化贴片生产，因此也受到大批量消费类电子产品制造商的青睐。