时间：2025/7/7 8:27:53
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IRF630PBF 是一款增强型 N 没道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率控制电路中。该器件采用 TO-247 封装形式，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
IRF630PBF 以高可靠性著称，适用于多种工业和消费类电子产品。其额定工作电压为 200V，能够承受较大的漏极电流峰值，并且具备快速开关速度特性。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：9.2A
脉冲漏极电流：48A
栅源电压：±20V
导通电阻：0.18Ω
输入电容：1540pF
最大功耗：115W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高击穿电压（200V），适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（0.18Ω），有助于减少传导损耗。
3. 快速开关性能，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，在宽温度范围内保持优异性能。
5. 具备较低的输入和输出电容，简化了驱动电路设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
7. 广泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应极端环境。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器的核心元件。
3. 电机驱动和逆变器电路。
4. 继电器和电磁阀的驱动电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 照明系统的电子镇流器和 LED 驱动电路。
7. 各种电池充电管理方案。
IRF630N,
STP17NF06,
FDP18N20,
IXFN20N20D2
