制造商：Qorvo
　　产品类别：射频放大器 - 低噪声放大器（LNA）
　　工作频率范围：30 MHz ~ 3 GHz
　　增益：18 dB（典型值）
　　噪声系数：0.8 dB（典型值）
　　输入三阶交调截点（IIP3）：+10 dBm
　　输出三阶交调截点（OIP3）：+28 dBm
　　工作电压：3.0 V ~ 5.0 V
　　静态电流：45 mA（典型值）
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：SOT-89-4
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　封装尺寸：约4.5 mm × 2.5 mm × 1.5 mm
　　是否集成匹配网络：是
　　是否需要外部偏置电感：否
　　射频接口类型：差分输入，单端输出

QM30E2Y-H的核心优势在于其宽频带操作能力和卓越的低噪声性能，能够在30 MHz至3 GHz的超宽频率范围内实现低于1 dB的噪声系数，确保在弱信号接收场景下仍能保持高灵敏度。这主要得益于其采用的GaAs HBT工艺技术，该技术不仅提供了优异的高频响应特性，还能在较低功耗下维持高增益和高线性度表现。放大器内部集成了完整的输入和输出匹配网络，极大减少了客户在射频电路设计中的调试时间和复杂度，特别适合多频段共用天线系统的快速开发。
　　该器件具有出色的增益平坦度，在整个工作频段内增益波动小于±1.5 dB，有助于提升接收系统的动态范围一致性。同时，其较高的输入三阶交调截点（IIP3）达到+10 dBm，表明其在强干扰信号存在的情况下仍能保持良好的线性性能，有效抑制互调失真，保障通信质量。输出三阶交调截点（OIP3）高达+28 dBm，进一步增强了其驱动后级混频器或ADC的能力。
　　QM30E2Y-H采用SOT-89-4小型化封装，具备良好的热传导性能，便于在高密度PCB布局中使用，并支持自动化贴片生产。其供电电压范围宽（3.0 V ~ 5.0 V），适应不同系统的电源架构需求，静态电流仅为45 mA，兼顾了性能与功耗平衡。此外，该器件内置了ESD保护结构，人体模型（HBM）耐压可达2 kV，提升了在实际生产和使用过程中的可靠性。所有这些特性使得QM30E2Y-H成为现代高性能射频接收前端的理想选择。

QM30E2Y-H广泛用于各类需要高灵敏度和宽带性能的射频接收系统中。在蜂窝通信基站领域，它常被部署于宏站、微站及分布式天线系统（DAS）的接收通道前端，用于增强上行链路信号的捕获能力，特别是在多载波、多制式共存环境中表现出色。在点对点微波通信系统中，该LNA可用于远距离无线回传链路，提升接收机的信噪比和整体链路预算。
　　此外，QM30E2Y-H也适用于软件定义无线电（SDR）平台，因其宽频带特性可支持多个频段的灵活切换，满足军用通信、应急通信和测试测量设备的需求。在物联网网关、智能城市传感器汇聚节点等长距离无线接入设备中，该芯片有助于延长通信距离并提高数据传输稳定性。
　　在工业、科学和医疗（ISM）频段应用中，例如433 MHz、868 MHz、915 MHz等频段的无线传感网络，QM30E2Y-H同样表现出优异的接收性能。同时，由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可用于车载通信模块、无人机遥测链路以及卫星通信地面终端等高端应用场景。总之，凡是需要在宽频范围内实现低噪声放大的场合，QM30E2Y-H都是一种极具竞争力的解决方案。

QM30E3Y-H