产品系列：InnoSwitch?3-Pro
　　拓扑结构：反激式
　　控制模式：准谐振
　　集成开关：是
　　开关类型：MOSFET
　　输出功率：最高约20 W
　　输入电压范围：85 VAC 至 265 VAC
　　工作频率：典型值约为 100 kHz
　　封装类型：InSOP-24D
　　隔离耐压：750 VAC（加强绝缘）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　引脚数：24
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　节能标准合规性：DoE Level VI, EU CoC v5 Tier 2
　　反馈机制：FluxLink?数字反馈（无光耦）
　　保护功能：过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、输入欠压锁定（UVLO）
　　同步整流支持：是
　　恒压/恒流输出：支持

QM20TB-H的核心优势在于其高度集成的设计理念，将初级侧高压MOSFET、控制器、次级侧同步整流驱动器及反馈接收模块全部集成于单一芯片系统中，显著降低了电源设计的复杂性和整体BOM成本。其采用的FluxLink?技术实现了初级与次级之间的高速、可靠通信，不仅消除了传统光耦带来的老化问题和性能漂移，还提升了动态响应速度和负载调整率。该器件具备精确的恒压（CV）与恒流（CC）调节能力，特别适合电池充电器、USB供电设备以及其他对输出精度要求较高的应用场景。
　　在效率方面，QM20TB-H通过准谐振开关方式有效降低了开关损耗，结合次级侧同步整流技术，能够在全负载范围内维持超过90%的转换效率，同时空载功耗低于30 mW，轻松满足最严格的国际能效法规要求。此外，芯片内部集成了多项自动恢复式保护机制，例如当检测到输出过压或过流时会立即关闭输出并尝试重启，保障了系统的长期稳定运行。热关断功能具有迟滞特性，防止因温度波动导致频繁重启。
　　为了增强设计灵活性，QM20TB-H支持可编程的输出电压和电流设置，开发者可通过外部电阻网络进行配置，并利用外部微控制器实现动态调节，适用于需要智能调压或多档位输出的快充协议应用。其InSOP-24D封装具备优异的散热性能和高绝缘强度，适用于工业级严苛环境下的紧凑型电源设计。整体而言，QM20TB-H代表了现代小功率电源IC向高集成、高效率、高可靠性发展的趋势，是替代传统分立方案的理想选择。

QM20TB-H广泛应用于各类低功率AC-DC电源转换场合，尤其适用于对空间、效率和可靠性有较高要求的消费类电子产品。典型应用包括智能手机、平板电脑和其他便携式设备的壁式充电器，尤其是支持快速充电协议的USB-PD或QC适配器；家用电器中的辅助电源，如智能音箱、路由器、机顶盒、电视遥控器等设备的待机电源模块；工业控制领域的传感器供电、PLC辅助电源以及小型继电器驱动电源；办公自动化设备如打印机、扫描仪、IP电话等的内置电源单元。此外，由于其具备良好的电磁兼容（EMC）特性和极低的待机功耗，也适用于智能家居设备，如智能门铃、智能灯泡、Wi-Fi中继器等物联网终端产品的电源设计。在医疗设备领域，该芯片可用于低风险等级的家用健康监测仪器电源，如血压计、血糖仪等，前提是满足相应的安规认证要求。得益于其无光耦设计和高绝缘性能，QM20TB-H在需要加强电气隔离的工业和通信系统中同样表现出色。

INN3266C
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