W9864G2DH-6 是由 Winbond 公司生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于 EDO(Extended Data Out)类型。该芯片的容量为 64Mbit,组织结构为 4M x 16bit,适用于需要中等容量高速存储的应用场景。该型号采用 54-pin TSOP 封装形式,适合在多种嵌入式系统和工业设备中使用。
类型:DRAM
容量:64Mbit
组织结构:4M x 16bit
封装形式:54-pin TSOP
工作电压:3.3V
访问时间:5.4ns
最大工作频率:166MHz
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
W9864G2DH-6 采用 EDO 技术,相较于传统的 FPM DRAM,提供了更高的数据传输速率和更低的访问延迟。其 5.4ns 的访问时间使得该芯片能够在高速应用中表现出色,支持高达 166MHz 的工作频率。此外,该芯片的工作电压为 3.3V,降低了功耗并提高了系统的能效比。
该芯片的 54-pin TSOP 封装形式适用于现代高密度 PCB 设计,具备良好的散热性能和可靠性。其工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在各种严苛环境下稳定运行,适用于工业控制、通信设备、网络设备等对可靠性要求较高的应用场景。
在数据完整性方面,W9864G2DH-6 通过其优化的电路设计和制造工艺,确保了在高频工作下的稳定性和数据读写准确性。其标准的地址/数据接口兼容性强,便于与多种主控芯片连接使用。
该芯片广泛应用于工业控制设备、嵌入式系统、网络设备、通信模块、视频处理设备等需要高性能、低功耗和高可靠性的存储解决方案的场景。例如,可作为图像缓存、数据缓冲存储器、嵌入式处理器的主存等使用。
IS42S16400F-6T、CY7C1380B-5B4B