工作频率范围：DC至6 GHz
　　插入损耗：典型值0.35 dB（在2.5 GHz）
　　隔离度：典型值40 dB（在2.5 GHz）
　　回波损耗：典型值25 dB（在2.5 GHz）
　　供电电压：3.3 V或5 V可选
　　控制电压：1.8 V至5 V兼容
　　封装类型：TQFN（4x4 mm）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

QM57508TR13-5K采用先进的硅基射频开关技术，能够在宽频率范围内提供卓越的电气性能。其低插入损耗确保了信号在通过开关时的衰减最小，从而提高了系统的整体效率。高隔离度则保证了在不同通道切换时信号之间的干扰降到最低，这对于多路复用和分集接收系统尤为重要。
　　此外，该芯片支持宽范围的控制电压，使其能够与多种逻辑控制电路兼容，包括FPGA、微控制器或专用射频控制器。这种灵活性大大简化了设计和集成过程。
　　由于采用了先进的制造工艺，QM57508TR13-5K具有良好的线性度和高功率处理能力，能够在高信号强度环境下保持稳定性能，适合用于基站、测试仪器、工业控制系统和无线基础设施等应用领域。
　　该器件的小型TQFN封装不仅节省空间，还便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的热管理和机械稳定性，适用于工业级温度范围。

QM57508TR13-5K广泛应用于需要高性能射频切换功能的电子系统中。其主要应用包括无线基站、测试与测量设备、工业自动化控制系统、射频信号路由、天线切换、多频段通信设备以及雷达和卫星通信系统等。
　　在无线通信领域，该芯片可用于多频段手机测试设备、无线接入点（AP）和小型基站的射频前端控制。在测试设备中，它可作为信号路径选择开关，实现多路信号的快速切换，提高测试效率和精度。
　　在工业自动化和物联网（IoT）应用中，QM57508TR13-5K可以用于射频传感器网络、远程通信模块和无线数据采集系统的信号路由管理。此外，该芯片还可用于射频识别（RFID）系统、智能天线系统以及车载通信设备中。

HMC649ALP3C, PE4259, SKY13370-345LF