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QM150DY-HB 发布时间 时间:2025/9/29 19:11:32 查看 阅读:19

QM150DY-HB是一款由国内厂商推出的三相电压型无源逆变器模块,广泛应用于工业控制、电机驱动、新能源发电以及不间断电源(UPS)等电力电子系统中。该模块集成了高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片和优化的内部布局设计,具备高效率、高可靠性和良好的热稳定性。其封装形式为P型半桥模块结构,通常包含两个独立的IGBT单元及其反并联快速恢复二极管,构成一个完整的半桥拓扑,适用于DC-AC转换电路中的核心功率变换环节。模块采用陶瓷基板与铜底板结构,具有优良的散热性能和机械强度,能够在较宽的环境温度范围内稳定运行。此外,QM150DY-HB在设计上注重电磁兼容性(EMC)和抗干扰能力,适合在复杂电磁环境中长期工作。该器件通常用于替代传统分立式IGBT组合,简化系统设计,提高整机可靠性,并支持高频开关操作,有助于减小滤波元件体积,提升整体系统功率密度。

参数

型号:QM150DY-HB
  类型:IGBT模块(半桥)
  额定电压:1200V
  额定电流:150A(Tc=80℃)
  集电极-发射极饱和电压(Vce(sat)):典型值2.1V(@Ic=150A, Vge=15V)
  反向恢复时间(trr):≤ 65ns(二极管部分)
  关断能量(Eoff):典型值4.8mJ(@Ic=150A, Vce=800V)
  热阻(Rth(j-c)):0.35K/W(每单元)
  隔离电压:2500Vrms/分钟
  工作结温范围:-40℃ 至 +150℃
  封装形式:P型模块(带铜底板)
  安装方式:螺栓固定
  栅极电阻推荐值:15Ω~33Ω

特性

QM150DY-HB的核心特性之一是其采用了先进的沟槽栅场截止型(Trench Field-Stop)IGBT工艺技术,这种结构显著降低了导通损耗与开关损耗之间的折衷矛盾,实现了更高的能效比。在导通状态下,载流子分布更加均匀,有效抑制了拖尾电流现象,从而减少了关断过程中的能量损耗。同时,该模块内置的快速软恢复二极管具备低反向恢复电荷(Qrr)和低噪声特性,能够有效降低换流过程中的电压尖峰和电磁干扰,提升系统的动态响应能力和运行平稳性。
  另一个关键特性是其优异的热管理能力。模块采用DBC(Direct Bonded Copper)陶瓷基板工艺,结合高导热氧化铝陶瓷材料和厚铜层设计,确保热量从芯片快速传导至外部散热器。其较低的热阻(Rth(j-c))使得即使在满载或短时过载工况下,也能保持合理的结温上升,延长使用寿命。此外,模块外壳经过表面钝化处理,具备良好的防潮、防腐蚀性能,适应恶劣工业环境。
  电气隔离方面,QM150DY-HB通过严格的绝缘测试认证,支持高达2500Vrms的隔离耐压,满足IEC60747-9等相关标准要求,保障操作人员安全及系统稳定性。模块还具备较强的短路承受能力(通常可达10μs以上),配合外部驱动保护电路可实现可靠的故障保护机制。其引脚布局经过优化,减小了内部寄生电感,有利于高频开关应用中的电压振荡抑制,进一步提升系统可靠性。

应用

QM150DY-HB广泛应用于多种中等功率等级的电力变换设备中。在交流电机驱动领域,常用于通用变频器、伺服驱动器和风机水泵调速系统,作为主逆变桥臂的核心器件,实现直流到交流的高效转换,支持矢量控制和直接转矩控制等先进算法。
  在新能源系统中,该模块可用于光伏逆变器的DC-AC升压转换级,尤其适用于集中式或组串式逆变器的中间功率段设计,帮助提升光电转换效率并降低系统成本。此外,在风力发电的变流器系统中,也可作为网侧或机侧变换器的关键组件,参与有功与无功功率调节。
  在工业电源领域,QM150DY-HB常见于不间断电源(UPS)、应急电源(EPS)和感应加热设备中,承担能量双向流动或高频逆变任务。其稳定的输出特性和良好的动态响应使其能够应对电网波动和负载突变,保障供电连续性。
  另外,该模块还可用于电动汽车充电桩的主功率回路、电焊机电源以及各类大功率开关电源中,凭借其高集成度和高可靠性,显著简化外围电路设计,缩短产品开发周期,提升整体系统竞争力。

替代型号

FP150R12KT4
  SKM150GB12T4
  MG150Q2YS50
  BSM150GA120DN2

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