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IRFP1405 发布时间 时间:2025/5/23 0:53:17 查看 阅读:19

IRFP1405是一种N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),由英飞凌(Infineon)生产。该器件专为高频开关应用设计,广泛应用于功率转换、电机驱动和音频功率放大器等领域。其采用TO-247封装形式,具有低导通电阻和高效率的特性,适合在中高功率应用中使用。
  IRFP1405属于增强型MOSFET,能够承受较高的漏源电压,并具备快速开关速度,从而减少开关损耗。此外,其出色的热性能使得它在高温环境下也能稳定工作。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻:1.6mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:95nC(典型值)
  输入电容:1040pF(典型值)
  最大功耗:220W
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRFP1405的主要特点是低导通电阻和高效率,这使其在功率转换应用中表现优异。低导通电阻减少了传导损耗,提高了整体系统的效率。
  另外,该器件具有快速开关速度,有助于降低开关损耗。它的栅极电荷较低,可减少驱动电路的复杂性和功耗。
  IRFP1405采用了先进的制造工艺,保证了其在高温条件下的可靠运行。其封装形式(TO-247)提供了良好的散热性能,便于与外部散热器连接,进一步提升了功率处理能力。
  由于其低寄生电感05非常适合高频开关应用,例如DC-DC转换器、逆变器和开关电源等。

应用

IRFP1405适用于多种功率电子应用,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 逆变器
  4. 电机驱动
  5. 音频功率放大器
  6. 光伏逆变器
  7. 电动汽车中的功率控制模块
  这些应用均利用了IRFP1405的高效能、低损耗和高可靠性特点,满足现代功率电子设备对高性能和节能的需求。

替代型号

IRFP150N07S,
  STP100NF06,
  IXFK40N55T,
  FDP15U06A,
  IPW150N06S

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IRFP1405参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C95A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.3 毫欧 @ 95A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5600pF @ 25V
  • 功率 - 最大310W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AC
  • 包装散装
  • 其它名称*IRFP1405