型号：QM100DY-2H
　　制造商：Qspeed Semiconductor（捷捷微电）
　　晶体管类型：双N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100V
　　连续漏极电流(ID)：100A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流(IDM)：360A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：≤1.8mΩ @ VGS=10V, ID=50A
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：约9500pF @ VDS=50V
　　输出电容(Coss)：约1100pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间(trr)：典型值35ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-247AD

QM100DY-2H的核心技术优势在于其低导通电阻与高开关速度的结合，使其特别适合用于高频率、大电流的功率转换系统。该器件采用了优化的沟槽栅结构，在降低RDS(on)的同时有效控制了寄生电容，减少了开关过程中的能量损耗。其超低的1.8mΩ导通电阻意味着在大电流条件下仍能保持较小的导通压降，从而显著提升系统整体效率并减少散热需求。此外，该MOSFET具备出色的热稳定性，即使在高温环境下也能维持稳定的电气性能，确保长时间运行的可靠性。
　　另一个关键特性是其优秀的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供更强的耐受性，防止器件因电压尖峰而损坏。这对于电机驱动和逆变器应用尤为重要。同时，较低的栅极电荷（Qg）使得驱动电路的设计更加简单，降低了驱动功耗，提升了系统的动态响应能力。器件还具备快速的开关速度和较短的反向恢复时间，有助于减少交叉导通风险，尤其在半桥或全桥拓扑中表现优异。
　　由于采用TO-247封装，QM100DY-2H拥有优良的散热性能，可通过外接散热片进一步增强热管理效果，适用于高功率密度设计。其引脚配置合理，便于并联使用以承载更大电流，且具备良好的电磁兼容性（EMI）表现。整体而言，这款MOSFET在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中高端功率电子设备的理想选择之一。

QM100DY-2H广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。常见应用包括但不限于：大功率DC-DC升压/降压转换器，特别是在服务器电源、通信电源和新能源储能系统中作为主开关器件；电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充模块中的同步整流单元；工业电机驱动器中的低边或高边开关；太阳能逆变器和UPS不间断电源中的功率级开关元件；以及各类高电流负载开关和电池保护电路。
　　在消费类高端电源产品中，如游戏主机电源、高功率适配器等，该器件也因其高效能和高可靠性而被广泛采用。此外，由于其具备良好的并联特性，多个QM100DY-2H可并联使用于超大电流场合，例如电焊机、电解电源等特殊工业设备。其快速开关能力和低损耗特性也使其适用于高频软开关拓扑（如LLC谐振变换器）中，帮助提高系统效率并减小磁性元件体积。总之，凡是需要大电流、低损耗、高可靠性的N沟道MOSFET应用场景，QM100DY-2H均是一个极具竞争力的选择。

IPB100N10S3G
　　STP100N10F7
　　IRF3205PBF
　　FDP100N10