晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　最大工作温度：150 °C
　　增益带宽积（fT）：250 MHz
　　直流电流增益（hFE）：110（最小值，Ic=2 mA）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

MMBS5062LT1具备多项优异特性，适用于各种高频和低功耗应用。
　　首先，该晶体管具有较高的增益带宽积（fT为250 MHz），使其适用于高频放大器和射频电路。此外，其直流电流增益（hFE）在Ic=2 mA时最低可达110，确保了良好的信号放大性能。
　　其次，MMBS5062LT1采用SOT-23封装，体积小巧，适合用于高密度PCB布局。该封装还具备良好的热稳定性和机械强度，适用于表面贴装工艺。
　　再者，该晶体管的最大集电极电流为100 mA，集电极-发射极电压为30 V，能够在中等功率条件下稳定运行。其最大功耗为300 mW，支持在中等负载下运行而不过热。
　　另外，MMBS5062LT1的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性广，可在极端环境下稳定工作。这使其成为工业级和汽车电子应用中的可靠选择。
　　最后，该器件的低饱和压降和快速开关特性，使其在数字开关电路和脉冲放大器中表现优异。同时，其价格适中，适合大批量应用，如消费类电子、无线通信模块和传感器电路。

MMBS5062LT1广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其适用于高频和低功耗场景。
　　在无线通信领域，该晶体管常用于射频放大器、混频器和调制解调电路，因其高增益带宽积和低噪声特性，适合用于蓝牙、Wi-Fi和Zigbee等无线模块。
　　在数字电路中，MMBS5062LT1可作为高速开关晶体管，用于驱动LED、继电器、小型电机和逻辑门电路。其快速响应和低饱和压降特性，有助于提高电路效率并减少功耗。
　　此外，该晶体管也常用于音频放大电路，如前置放大器和耳机驱动电路，提供良好的信号放大性能。
　　在传感器和测量设备中，MMBS5062LT1可用于信号调理和放大，确保高精度数据采集。
　　由于其小尺寸和高可靠性，该器件也广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、可穿戴设备和物联网（IoT）设备中。

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A, MMBT3904, 2N4124