时间：2025/9/15 23:39:38
阅读：16
HSMS8202-TR1G 是一款由Broadcom（安华高）生产的射频（RF）肖特基二极管，主要用于射频信号检测、混频、检波以及开关等高频应用。这款器件采用SOT-23封装，具有低电容、低正向压降和快速恢复时间等特点，适用于广泛的射频和微波电路设计。
类型：肖特基二极管
封装：SOT-23
最大正向电流：20 mA
最大反向电压：20 V
电容（@ 1 MHz）：0.3 pF
正向压降（@ 1 mA）：0.27 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
HSMS8202-TR1G 的核心特性之一是其极低的寄生电容，这使得该器件能够在高达10 GHz的频率下保持良好的性能，非常适合高频应用。其肖特基结构提供了较低的正向电压降，从而减少了信号损失并提高了检波效率。
此外，该二极管具有快速的恢复时间，使其适用于高速开关和混频电路。其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于在射频电路板上进行表面贴装，提高了制造的便利性。
在稳定性方面，HSMS8202-TR1G 的工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，可在恶劣环境下稳定工作，适用于工业级和汽车级应用。
HSMS8202-TR1G 主要应用于射频检测电路、射频功率测量、无线通信系统中的信号混合、自动增益控制（AGC）、射频开关电路以及微波电路设计等场景。由于其优良的射频性能和稳定性，也常用于测试设备、射频识别（RFID）系统、雷达和传感器等高频系统中。
HSMS-282C, HSMS285C, BB112, SMS7630
