QK016NH3 时间：2025/12/26 22:43:08 阅读：15

QK016NH3是一款由Qorvo（科沃）公司生产的高性能氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为射频功率放大器应用设计，广泛应用于无线通信基础设施、基站、微波回传和雷达系统等高频、高效率场景。该器件采用先进的GaN-on-SiC（碳化硅上氮化镓）工艺制造，能够在高频率下实现优异的功率密度、线性度和能效表现。QK016NH3工作频率范围覆盖从DC到6 GHz，适合多频段射频功率放大需求。其封装形式为紧凑型表面贴装陶瓷封装，具备良好的热传导性能和机械稳定性，适用于需要高可靠性和长期稳定运行的工业与通信设备中。此外，该器件在设计上优化了输入输出匹配网络，简化了外围电路设计，有助于缩短产品开发周期并提升整体系统集成度。

参数

型号：QK016NH3
　　制造商：Qorvo
　　技术工艺：GaN-on-SiC
　　工作频率：DC ~ 6 GHz
　　饱和输出功率：约16 W
　　增益：典型值22 dB
　　漏极电压：28 V
　　漏极电流：典型值120 mA
　　输入驻波比（VSWR）：≤2.0:1
　　封装类型：陶瓷表面贴装
　　热阻（Rth）：约4.5 °C/W
　　工作温度范围：-40 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +175 °C
　　RoHS合规：是

特性

QK016NH3基于Qorvo先进的GaN-on-SiC半导体技术平台，展现出卓越的射频性能和可靠性。该器件在S波段至C波段范围内具有出色的功率附加效率（PAE），典型值可达60%以上，显著优于传统的LDMOS器件，从而大幅降低系统功耗和散热需求。其高功率密度特性使得在有限空间内实现高输出功率成为可能，特别适用于紧凑型宏基站和小型蜂窝部署场景。
　　该器件具备优异的线性度和宽带匹配能力，在宽频率范围内保持稳定的增益响应和低失真输出，支持现代通信标准如LTE、5G NR中的复杂调制信号传输。其内置的静电放电（ESD）保护机制提升了器件在实际装配和运行中的鲁棒性，降低了因操作不当或环境因素导致损坏的风险。
　　QK016NH3的设计充分考虑了热管理需求，采用低热阻封装结构，能够有效将结区热量传导至PCB或散热器，确保长时间高负载运行下的稳定性。此外，该器件对负载失配具有较强的容忍能力，在VSWR高达2:1的情况下仍可安全工作，减少了对外部隔离器的依赖，有助于降低系统成本和体积。
　　由于其高度集成的特性，QK016NH3无需复杂的外部偏置电路即可实现稳定的静态工作点设置，同时支持模拟或数字预失真（DPD）技术以进一步提升线性度和系统效率。这些特性使其成为下一代无线通信基础设施中射频功率放大的理想选择。