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2SK2221-E 发布时间 时间:2025/8/28 21:32:47 查看 阅读:11

2SK2221-E是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及功率放大器等电子电路中。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压、高电流容量和快速开关特性,适合高频开关应用。2SK2221-E采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适用于中高功率应用。其主要设计目标是在开关应用中实现高效率和低损耗。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流:10A
  最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.45Ω @ Vgs=10V
  栅极电荷:27nC
  功率耗散:60W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220

特性

2SK2221-E具有多个关键特性,使其在电源管理和功率控制应用中表现优异。
  首先,该MOSFET的低导通电阻(Rds(on))为0.45Ω,确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗,从而提高整体系统的效率。此外,其最大漏极电流可达10A,适用于较高功率需求的电路设计。
  其次,该器件的最大漏源电压为100V,能够承受较高的电压应力,适用于多种DC-DC转换器、开关电源和马达驱动电路。其栅源电压容限为±20V,允许在较宽的驱动电压范围内稳定工作,提高了设计的灵活性。
  第三,2SK2221-E具有较低的栅极电荷(27nC),有助于实现快速的开关动作,减少开关过程中的能量损耗,特别适用于高频开关应用。同时,其TO-220封装提供了良好的散热性能,确保在高功率操作下的稳定性与可靠性。
  最后,该MOSFET具有宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C),可在恶劣环境条件下稳定运行,适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品等多种应用场景。

应用

2SK2221-E广泛应用于多个电子系统中,特别是在需要高效功率管理的场合。
  在电源系统中,它常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器,作为主开关或同步整流器,其低导通电阻和快速开关特性有助于提高能量转换效率。此外,它也适用于负载开关和电池管理系统,用于控制高电流路径的导通与关断。
  在电机控制领域,2SK2221-E可作为H桥驱动电路的一部分,用于控制直流电机或步进电机的正反转及速度调节,其高电流承受能力和低损耗特性使其在这些应用中表现出色。
  另外,该MOSFET还可用于LED驱动电路、逆变器、电源分配系统以及功率放大器等应用场景。其高可靠性和良好的热稳定性也使其适用于汽车电子、工业自动化和智能家电等对稳定性和耐久性要求较高的领域。

替代型号

IRF540N, FQP10N10L, 2SK2647, STP10NK10Z

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2SK2221-E参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds600pF @ 10V
  • 功率 - 最大100W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件