CG3310QIR是一款专为汽车电子应用设计的高压MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的沟槽式技术,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,非常适合用于车载电源管理系统、电机驱动和DC-DC转换器等场景。
这款芯片的主要特点是其出色的热性能和可靠性,能够在恶劣的工作环境下保持稳定的性能表现。此外,它还具备短路保护和过温保护功能,确保系统在异常情况下仍然安全运行。
类型:N-Channel MOSFET
耐压:60V
连续漏极电流:40A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:85nC
开关速度:快速
封装形式:TO-220
工作温度范围:-40℃至175℃
1. 超低导通电阻(Rds(on))设计,显著降低功率损耗。
2. 高电流处理能力,适用于大功率应用。
3. 先进的沟槽工艺提升了整体效率和热稳定性。
4. 提供全面的保护功能,包括过流保护和过温保护。
5. 符合AEC-Q101标准,确保在汽车级环境下的高可靠性。
6. 支持高频开关操作,满足现代电源管理的需求。
7. 封装形式坚固耐用,适合表面贴装和焊接工艺。
1. 汽车电子中的启动/停止系统。
2. DC-DC转换器及负载切换电路。
3. 电动车窗、座椅调节和其他辅助电机控制。
4. 电池管理系统中的充放电保护电路。
5. 工业设备中的高效率功率转换模块。
6. LED驱动和逆变器应用。
7. 各类需要高压大电流处理能力的场合。
IRF3205, STP40NF06L, FDPF3739