类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：250V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：26A（在 Tc=25°C 时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 0.04 欧姆
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　功率耗散（PD）：125W
　　技术：沟槽式 MOSFET

SKN26/04UNF 采用了先进的沟槽式结构设计，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。其导通电阻最大为 0.04 欧姆，这使得在大电流应用中能够保持较低的压降和功率损耗。
　　该器件的漏极-源极击穿电压为 250V，适用于中高电压应用，具备良好的电压耐受能力和稳定性。栅极-源极电压范围为 ±20V，允许在较宽的驱动条件下工作，同时具备过压保护能力。
　　封装采用 TO-247 标准封装，具备良好的热管理性能，能够有效地将热量从芯片传导到外部散热器，从而提升整体系统的可靠性。此外，SKN26/04UNF 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适合在极端温度环境下使用。
　　该 MOSFET 具有快速开关特性，能够实现高效的开关操作，减少开关损耗。适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等对开关速度要求较高的场合。同时，其出色的热性能和高电流承载能力使其成为工业控制、电源模块和电机驱动等高功率应用的理想选择。

SKN26/04UNF 主要应用于高功率密度电源系统，包括但不限于以下领域：
　　? 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器
　　? DC-DC 转换器，如升压（Boost）和降压（Buck）转换器
　　? 电机驱动和控制电路
　　? 电池管理系统（BMS）中的充放电控制
　　? 工业自动化和控制系统中的功率开关
　　? 太阳能逆变器和储能系统
　　该器件凭借其高可靠性和高效率，在工业、汽车电子和可再生能源系统中均有广泛应用。

STP26NM50ND, IPW65R045CFD7S