QFE-2101-0-15BWLNSP-TR-70-0 是一款高性能的 GaN(氮化镓)功率晶体管,采用增强型 HEMT(高电子迁移率晶体管)结构设计。该器件专为高频、高效应用而优化,适用于开关电源、DC-DC 转换器和射频功率放大器等领域。其封装形式为表面贴装类型,具有低寄生电感和良好的散热性能。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:15A
导通电阻:70mΩ
栅极电荷:80nC
开关频率:超过 3MHz
封装类型:WLCSP (晶圆级芯片尺寸封装)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
该器件采用了先进的氮化镓技术,能够提供比传统硅基 MOSFET 更高的效率和更快的开关速度。
1. 高击穿电压:支持高达 650V 的漏源电压,适合高压应用场景。
2. 低导通电阻:仅为 70mΩ,在大电流条件下减少功耗。
3. 快速开关性能:开关频率可达 3MHz 以上,适合高频应用。
4. 小型化封装:WLCSP 封装有助于节省 PCB 空间,并降低寄生效应。
5. 宽温范围:能够在极端温度环境下可靠运行,适应工业和汽车领域的需求。
6. 集成保护功能:内置 ESD 保护电路,提高系统稳定性。
这款 GaN 功率晶体管广泛应用于以下领域:
1. 开关电源:如 AC-DC 和 DC-DC 转换器,提升功率密度和效率。
2. 电机驱动:用于高效电机控制,特别适合电动车和工业自动化设备。
3. 射频功率放大器:满足无线通信基站等高频高功率场景需求。
4. 充电器与适配器:支持快速充电方案,减小体积并提高转换效率。
5. 太阳能逆变器:优化光伏系统的电力转换效率。
QFE-2101-0-10BWLNSP-TR-50-0
QFE-2102-0-15BWLNSP-TR-70-0
GAN042-650WSA