时间：2025/5/7 12:15:10
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PEB2075NV1.3G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率转换芯片，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及 AC-DC 适配器等应用。该芯片采用增强型 GaN FET 技术，具有高开关频率和低导通电阻的特点，能够显著提升功率密度并降低系统损耗。
相比传统的硅基 MOSFET，PEB2075NV1.3G 提供了更优的性能，在硬开关和软开关拓扑中均表现出色。其内置驱动器优化了栅极驱动特性，从而进一步简化了电路设计。
额定电压：650V
导通电阻：130mΩ
最大电流：20A
开关频率：高达 5MHz
封装形式：TO-247
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
1. 基于氮化镓技术，提供卓越的高频性能和效率。
2. 内置驱动器支持快速开关，减少寄生电感影响。
3. 极低的导通电阻（Rds(on)），降低传导损耗。
4. 高温稳定性，能够在宽温度范围内保持一致的性能。
5. 支持多种拓扑结构，包括 LLC、反激式和同步整流。
6. 简化的设计流程，减少了外围元件数量。
7. 提供过流保护和热关断功能以增强可靠性。
1. 开关电源 (SMPS) 和高效 DC-DC 转换器。
2. 快速充电器及 USB-PD 充电器。
3. 数据中心电源模块和服务器 PSU。
4. 太阳能微型逆变器与储能系统。
5. 消费类电子产品中的小型化电源解决方案。
6. 电动汽车车载充电器 (OBC) 及其他工业级电源设备。
PEB2075NV1.2G, PEB15075NV1.3G
