类型：红外发射器
　　材料：砷化镓（GaAs）
　　波长范围：850 nm 至 950 nm（典型值为 940 nm）
　　正向电流：最大 50 mA
　　正向电压：典型 1.2 V（最大 1.5 V）
　　反向电压：最大 3 V
　　功耗：最大 150 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：T-1（3 mm）透镜封装
　　极性：有极性

QED122.A3R0 是一款高效的红外发射器，具备稳定的光输出性能和较长的使用寿命。其核心元件是一个 GaAs 红外 LED，能够在近红外波段（通常为 940 nm）发射高强度红外光。这种发射器通常与光电探测器（如光电晶体管）配对使用，构成光电耦合器，用于实现电气隔离和信号传输。QED122.A3R0 的封装设计确保了良好的光聚焦和方向性，使其适用于需要精确光控制的应用。该器件具有低功耗、高可靠性和宽工作温度范围的特点，适用于恶劣环境下的稳定运行。此外，其 RoHS 合规性确保符合现代电子制造的环保要求。
　　QED122.A3R0 的 T-1（3 mm）封装形式便于手工焊接和 PCB 安装，广泛用于工业控制、消费电子、医疗设备和自动传感系统。由于其高隔离电压和低漏电流特性，它也常用于电源管理和信号隔离电路中。

QED122.A3R0 常用于光电耦合器、红外遥控、光感测、隔离电路、工业自动化控制系统、医疗设备中的信号隔离、消费类电子产品中的红外发射模块、自动门控系统、安全监控设备以及各种需要非接触式信号传输的场合。

QED123.A3R0, QED222, QED233, SFH487, L-53F3C