时间：2025/5/31 1:54:35
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CDR31BP4R3BCZPAT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频、高效能应用场景设计。该器件采用先进的封装工艺，具有出色的开关特性和低导通电阻，能够满足射频及功率转换应用的需求。
这款 GaN HEMT 的设计旨在提供卓越的性能表现，同时保持良好的可靠性和稳定性。其独特的材料特性使得它能够在高频和高压环境下展现出优异的效率和散热能力。
类型：增强型 MOSFET
导通电阻：4.3 mΩ
最大漏极电流：31 A
击穿电压：600 V
栅极电荷：95 nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247-4L
CDR31BP4R3BCZPAT 具有以下显著特点：
1. 高效的开关性能，适用于高频场景。
2. 极低的导通电阻，有助于减少能量损耗。
3. 良好的热管理能力，确保长时间运行的稳定性。
4. 采用氮化镓技术，具备更高的功率密度。
5. 支持宽禁带半导体应用，适应现代电力电子需求。
6. 提供稳定的动态性能，在负载变化时表现出色。
该型号主要应用于以下领域：
1. 数据中心电源供应单元 (PSU)。
2. 服务器及通信设备中的 DC-DC 转换器。
3. 新能源汽车中的车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 消费类快充适配器，如 USB PD 充电器。
6. 工业级电机驱动和不间断电源 (UPS) 系统。
CDR31AP4R3BCZPAT, CDR28BP4R3BCZPAT
