时间：2025/8/1 23:25:10
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QD48T033050-PBC0 是一款由Qorvo公司生产的射频功率晶体管（RF Power Transistor），属于其GaN（氮化镓）晶体管系列。该器件专为高功率射频应用设计，适用于无线基础设施、雷达、测试设备以及工业加热等高功率射频系统。QD48T033050-PBC0 工作在30 MHz至3.5 GHz的频率范围内，具有优异的功率增益、效率和线性度，适合在高电压条件下运行，具有良好的热稳定性和可靠性。
制造商: Qorvo
晶体管类型: GaN HEMT
频率范围: 30 MHz - 3.5 GHz
工作电压: 28 V
输出功率: 50 W
增益: 18 dB（典型值）
效率: 65%（典型值）
封装类型: 法兰封装（Flanged Package）
热阻: 1.25°C/W
输入驻波比: 2.5:1 最大
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
QD48T033050-PBC0 是一款高性能的GaN射频功率晶体管，具有出色的功率处理能力和高效率。其核心优势在于基于氮化镓技术，能够在高电压和高频率下稳定运行，提供更高的功率密度和更小的芯片尺寸。该器件在3.5GHz频率范围内表现出良好的增益平坦度，确保在宽频应用中具有稳定性能。此外，QD48T033050-PBC0 的封装设计优化了散热性能，使其能够在高功率操作条件下保持较低的结温，延长器件寿命。
这款晶体管的典型输出功率为50W，在28V的电源电压下工作，具有高达18dB的功率增益和65%以上的漏极效率。其输入驻波比（VSWR）最大为2.5:1，表明其在大多数负载条件下具有良好的匹配能力。同时，该器件具有出色的热稳定性和抗失真能力，适合用于多载波通信系统和需要高线性度的应用场景。由于采用了先进的GaN-on-SiC衬底技术，QD48T033050-PBC0 在高温环境下依然保持良好的性能表现。
QD48T033050-PBC0 主要用于各种高功率射频系统，包括但不限于无线通信基站（如4G LTE和5G NR系统）、雷达发射器、射频测试设备、工业射频加热设备以及军事通信系统。其宽频率覆盖能力和高功率输出使其成为多频段多用途射频放大器设计的理想选择。此外，该器件也适用于数字广播发射系统和射频能量应用，如微波加热和等离子体发生系统。由于其高可靠性和耐高温性能，QD48T033050-PBC0 也广泛应用于恶劣环境下的射频功率模块设计。
QPD1010, QPD1013, CGH40050
