类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 58mΩ（在 Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSMT6（热增强型）

BX651A117 具有多个显著的性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。其次，该器件具备较高的耐压能力（Vds=20V），适用于低压电源管理系统，如移动设备、笔记本电脑和便携式电子设备。此外，BX651A117 采用热增强型封装（TSMT6），具有良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定运行。
　　其栅极驱动电压范围为 ±12V，确保在不同的控制电路中能够可靠工作。同时，该 MOSFET 的封装设计优化了 PCB 布局，减小了寄生电感，提高了高频开关性能。BX651A117 还具备良好的短路和过热保护能力，增强了系统的稳定性与可靠性。
　　由于其高性能特性，BX651A117 在现代电源管理系统中被广泛采用，特别是在需要高效能、小型化设计的应用中。它不仅能够满足高效率的功率转换需求，还能在空间受限的设计中提供优异的性能。

BX651A117 主要应用于多种电源管理电路中，包括但不限于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电源多路复用器以及负载保护电路等。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件用于高效能电源管理模块。此外，BX651A117 还可用于 LED 驱动电路、电机驱动器以及各种低电压功率开关电路中。
　　在工业自动化和汽车电子领域，该 MOSFET 可用于智能电源管理模块、车载充电器、电池管理系统（BMS）以及传感器电源开关控制。其高可靠性和良好的热管理能力使其在高温环境下依然能够稳定运行，满足工业和汽车级应用的严格要求。

Si2302DS, FDN340P, 2N7002, BSS138