H9TKNNN4KDMP是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片专为高性能应用设计,提供快速的数据访问速度和低功耗特性,适用于需要大容量内存和高效能表现的电子设备。
类型:DRAM
容量:4GB
封装类型:BGA
数据速率:2133Mbps
电压:1.2V
接口:x16
工作温度范围:-40°C至85°C
H9TKNNN4KDMP具有高性能和低功耗的特性,适合在各种严苛环境下使用。其2133Mbps的数据速率确保了快速的数据传输,同时1.2V的低电压设计减少了整体功耗,从而延长了设备的电池寿命。此外,该芯片的x16接口设计支持更高的带宽利用率,增强了系统性能。该芯片还具备良好的热稳定性,能够在-40°C至85°C的工作温度范围内保持稳定运行,适应了工业级应用的需求。
H9TKNNN4KDMP采用了先进的DRAM技术,确保了数据的可靠性和完整性。其BGA封装形式不仅提供了更小的物理尺寸,还优化了电气性能,减少了信号干扰,从而提升了整体系统稳定性。这款芯片在设计上兼顾了性能与能效,是现代高性能电子设备的理想选择。
该芯片的制造工艺也符合环保要求,支持无铅封装技术,符合RoHS标准。H9TKNNN4KDMP还集成了自刷新(Self-Refresh)功能,可以在设备处于低功耗模式时保持数据不丢失,从而进一步降低功耗并延长电池寿命。
H9TKNNN4KDMP广泛应用于高性能计算设备、移动终端(如智能手机和平板电脑)、嵌入式系统以及工业控制设备等领域。它特别适用于需要大量内存和高速数据处理能力的设备,如高端智能手机、笔记本电脑、图形处理单元(GPU)以及网络通信设备。
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