型号：Q6030LH5TP
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大连续漏极电流（ID）：-14A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-56A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：2.5W
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -10V：4.7mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -4.5V：6.0mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -2.5V：9.0mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：1920pF
　　输出电容（Coss）：580pF
　　反向传输电容（Crss）：100pF
　　开启时间（ton）：约25ns
　　关断时间（toff）：约45ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerDI5060-6L
　　安装方式：表面贴装
　　符合标准：RoHS, AEC-Q101

Q6030LH5TP采用先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体能效。其在-10V栅压下的典型RDS(on)仅为4.7mΩ，在-4.5V下也仅为6.0mΩ，这使得该器件在低电压、大电流的应用中表现出色，例如电池管理系统和负载开关电路。低RDS(on)还意味着更少的发热，有助于提升系统的热稳定性和长期可靠性。
　　该器件具备优异的开关性能，具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），从而减少了开关过程中的能量损耗，提升了高频开关应用下的效率。其输入电容约为1920pF，输出电容为580pF，反向传输电容（Crss）为100pF，这些参数确保了快速的开关响应和良好的噪声抑制能力。对于需要频繁启停或动态调节负载的系统，如DC-DC同步整流或热插拔控制，Q6030LH5TP能够提供稳定可靠的性能。
　　Q6030LH5TP的栅极阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，使其能够在低至-2.5V的栅源电压下有效导通，支持与现代低电压逻辑控制器直接接口，无需额外的驱动电路，简化了设计复杂度并节省了外围元件成本。同时，器件的最大栅源电压可达±20V，提供了足够的电压裕量，增强了抗瞬态干扰的能力，提升了系统鲁棒性。
　　该器件采用PowerDI5060-6L封装，具有出色的散热性能，底部带有暴露焊盘，可通过PCB实现高效的热传导，有效降低结到环境的热阻。这种封装形式不仅减小了整体占用面积，还提升了功率密度，特别适用于紧凑型便携设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无人机等。此外，该封装支持回流焊工艺，适用于现代化SMT生产线，提高了制造效率和良率。
　　通过AEC-Q101车规级认证意味着Q6030LH5TP在温度循环、高温反偏、高压寿命测试等严苛条件下均通过验证，可在汽车电子系统中可靠运行，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助电源系统等。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）进一步增强了其在极端环境下的适用性。

Q6030LH5TP广泛应用于多个领域，包括但不限于：便携式消费类电子产品中的电源开关和电池保护电路；用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的负载开关，实现对不同功能模块的上电时序控制和节能管理；在DC-DC降压或升压转换器中作为同步整流开关，提高转换效率；在电机驱动和继电器驱动电路中作为高端开关使用；适用于热插拔控制器，防止上电冲击电流损坏系统；在工业控制系统中用于电源路径管理和冗余电源切换；在汽车电子系统中，如车载充电器、LED照明驱动和车身电子模块中提供可靠的功率开关功能。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件也适用于大电流放电路径的控制，例如在电动工具和移动电源中作为主控开关。

SI7686DP-T1-GE3