时间：2025/12/26 22:37:52
阅读：11
Q6004D3TP是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高性能、高可靠性的N沟道MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器和开关电源等电力电子领域。该器件采用先进的Trench MOSFET工艺技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优异的热稳定性，能够在高温和高负载条件下稳定运行。Q6004D3TP封装在DPAK（TO-252）表面贴装封装中，具备良好的散热性能和机械强度，适合自动化贴片生产流程。其额定电压为60V，连续漏极电流可达130A，适用于大电流、高效率的功率转换场景。该MOSFET设计用于替代传统双极型晶体管或较低性能的MOSFET，在提升系统效率的同时减少功耗和发热，是现代高效能电源系统中的关键元件之一。此外，Q6004D3TP符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于工业控制、汽车电子、消费类电子产品等多种应用场景。
型号：Q6004D3TP
制造商：ON Semiconductor
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：130A（在TC=25°C时）
脉冲漏极电流（ IDM）：520A
导通电阻（RDS(on)）：3.4mΩ（在VGS=10V时）
阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：10800pF（在VDS=25V时）
输出电容（Coss）：2700pF
反向恢复时间（trr）：34ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
封装形式：DPAK（TO-252）
安装类型：表面贴装
Q6004D3TP采用先进的Trench沟道技术，实现了极低的导通电阻与出色的开关性能之间的平衡，使其在高电流应用中表现出卓越的能量转换效率。其典型的RDS(on)仅为3.4mΩ（在VGS=10V条件下），显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提高整个系统的能效并减少对散热设计的要求。该器件具有非常高的电流承载能力，在TC=25°C时可支持高达130A的连续漏极电流，并能在短时间内承受高达520A的脉冲电流，适用于需要瞬时大电流输出的应用如电机启动、电源浪涌保护等场景。
该MOSFET具备快速开关响应能力，输入电容Ciss为10800pF，输出电容Coss为2700pF，配合较低的栅极电荷（典型Qg=240nC），使得其在高频开关应用中仍能保持较低的驱动损耗和较高的动态性能，适用于DC-DC变换器、同步整流、H桥驱动等高频操作环境。同时，其反向恢复时间trr仅为34ns，体二极管具有较快的恢复特性，减少了开关过程中的交叉导通风险和电磁干扰问题，提升了系统可靠性。
Q6004D3TP的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，表明其不仅可在极端低温环境下正常启动，也能在高温工业或车载环境中长期稳定运行。DPAK（TO-252）封装提供了优良的热传导路径，便于通过PCB敷铜层进行有效散热，增强了器件的热稳定性与长期可靠性。此外，该器件内置了雪崩能量保护机制，具备一定的抗过压冲击能力，提高了在异常工况下的鲁棒性。所有这些特性共同确保了Q6004D3TP在严苛工作条件下的持久耐用性和系统安全性。
Q6004D3TP因其高电流处理能力、低导通电阻和优异的热性能，被广泛应用于多种电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于主开关管或同步整流器，实现高效的AC-DC或DC-DC电压转换，尤其适用于服务器电源、通信电源模块和工业电源设备。在电机驱动领域，该器件可用于直流电机、步进电机或无刷电机的H桥驱动电路中，提供快速响应和低损耗的开关控制，常见于电动工具、机器人控制系统和自动化设备中。
在汽车电子方面，Q6004D3TP可用于车载充电系统、DC-DC降压转换器、电池管理系统（BMS）以及各类执行器驱动电路，满足汽车行业对高可靠性和温度适应性的严格要求。此外，在太阳能逆变器、储能系统和UPS不间断电源中，该MOSFET也发挥着重要作用，作为功率开关元件参与能量的高效传递与管理。
由于其表面贴装DPAK封装形式，Q6004D3TP非常适合自动化生产线使用，广泛应用于需要大批量生产的消费类电子产品，例如大功率LED驱动电源、笔记本电脑适配器、游戏机电源模块等。同时，其高鲁棒性和抗雪崩能力使其在存在电压瞬变或感性负载突变的环境中依然能够稳定工作，进一步拓展了其在工业控制、电源保护电路和热插拔系统中的应用前景。
NTD60N03SR2G
FDD6680AS
