时间：2025/8/5 2:56:39
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GS2974ACNTE3 是由 GSI Technology 公司生产的一款高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器（Asynchronous SRAM），采用高速CMOS工艺制造，适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该SRAM具有宽电压工作范围和高可靠性，广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备和嵌入式系统等领域。
容量：4Mbit（512K x 8）
组织结构：512K x 8
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：10ns（最大）
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型：48-TSOP
接口类型：并行异步接口
读取电流（最大）：200mA
待机电流（最大）：10mA
GS2974ACNTE3 采用先进的CMOS技术制造，具备高速访问能力和低功耗特性，非常适合对功耗敏感和高性能要求的应用场景。该芯片支持异步操作，无需时钟同步，简化了设计复杂度。
其高速访问时间为10ns，能够满足高速数据缓冲和临时存储的需求。该SRAM具有宽电压工作范围（2.3V至3.6V），支持多种电源配置，提高了设计灵活性。
此外，GS2974ACNTE3 提供了多种低功耗模式，包括待机模式和自动休眠功能，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
该芯片采用48-TSOP封装，体积小巧，适合空间受限的应用场合。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣环境下稳定工作，具备良好的环境适应性。
内置的数据保持电路确保在掉电情况下数据不会丢失，增强了系统的可靠性。同时，该SRAM支持三态输出，可以有效防止总线冲突，提高系统的稳定性。
GS2974ACNTE3 广泛应用于需要高速存储和低功耗的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、测试测量仪器以及消费类电子产品中。它特别适合用于缓存存储器、帧缓冲器、数据日志记录器和高速数据采集系统等应用场景。
在通信领域，GS2974ACNTE3 可用于路由器、交换机和无线基站中的数据缓冲和临时存储；在工业控制方面，可用于PLC、HMI设备和传感器节点的数据存储；在消费电子中，该芯片可作为便携式设备的临时存储单元，支持快速启动和高效数据处理。
由于其高可靠性和宽温特性，该芯片也可用于汽车电子系统、安防设备和智能仪表等要求较高的工业和商业应用。
IS61LV25616A-10T, CY62148EV30LL-45BVXI, IDT71V416S10PFG, AS7C34098A-10TC
