时间：2025/8/13 17:33:55
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Q45VR2LV 是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高电流、高功率的应用，例如电源转换器、马达控制、电池管理系统和DC-DC转换器。这款MOSFET以其高效率、低导通电阻和出色的热性能而著称。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：45V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：240A（在25°C时）
导通电阻(Rds(on))：0.95mΩ（最大值）
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
Q45VR2LV MOSFET具有多项优越特性。首先，它的低导通电阻有助于降低功率损耗，提高整体效率，适用于需要高效能转换的电源系统。其次，该器件具备较高的电流处理能力，支持高达240A的连续漏极电流，适合高功率应用。此外，其优异的热性能使得在高负载条件下仍能保持稳定运行，提高了器件的可靠性和使用寿命。Q45VR2LV采用TO-263封装形式，提供了良好的散热性能，同时便于安装和焊接。这款MOSFET还具备良好的抗雪崩击穿能力，增强了器件在高压和高电流环境下的稳定性。最后，其宽泛的工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的应用，例如工业控制、汽车电子和能源管理系统。
Q45VR2LV常用于多种高功率和高电流的电子系统中。在电源管理系统中，它被广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。此外，在马达控制电路中，该MOSFET可用于驱动大功率直流马达或步进马达。在电池管理系统中，Q45VR2LV可用于电池充放电控制和保护电路。它还适用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电动车电池管理系统（BMS）等应用场景。
STL45N3LLH5
