时间：2025/9/2 3:11:09
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H5TQ1G43TFR-H9C-C 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一种DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片是一种低功耗、高性能的同步动态随机存取存储器，广泛用于消费类电子产品、移动设备、嵌入式系统以及其他对功耗和性能有较高要求的应用中。H5TQ1G43TFR-H9C-C 的容量为1Gbit，采用x4、x8或x16的I/O配置方式，支持多种工作电压和时钟频率，适应不同的系统需求。
类型：DRAM
容量：1Gbit
封装类型：FBGA
数据速率：166MHz/200MHz
工作电压：1.7V - 3.3V
接口标准：Synchronous DRAM
数据总线宽度：x4/x8/x16
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5TQ1G43TFR-H9C-C 具备多项优异特性。首先，其低功耗设计使其非常适合电池供电设备，如智能手机、平板电脑和便携式游戏设备。其次，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在保持数据完整性的同时降低系统功耗。此外，它还支持多种电源管理模式，包括待机模式和深度掉电模式，以进一步优化功耗效率。
在性能方面，H5TQ1G43TFR-H9C-C 提供高达200MHz的数据速率，确保高速数据存取。其同步接口与系统时钟同步，有助于提高系统稳定性并简化时序设计。该芯片还支持可编程CAS延迟和突发长度，以适应不同应用场景的时序需求。
封装方面，H5TQ1G43TFR-H9C-C 采用紧凑型FBGA封装，体积小巧，适合空间受限的设计。此外，其宽泛的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在各种环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。
H5TQ1G43TFR-H9C-C 广泛应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的设备中。例如，它常用于智能手机、平板电脑、数码相机和便携式媒体播放器等消费电子产品。此外，该芯片也适用于工业自动化设备、车载信息系统、网络设备和通信模块等嵌入式系统。由于其良好的温度适应性和可靠性，它也常用于汽车电子系统，如车载导航系统和远程信息处理设备。
H5TQ1G43AFR-H9C-C，H5TQ1G43BFR-H9C-C，H5TQ1G63AFR-H9C-C
