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BZB784-C6V2,115 发布时间 时间:2025/9/14 3:08:13 查看 阅读:11

BZB784-C6V2,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的射频晶体管。这款晶体管设计用于射频功率放大应用,具备高频率响应和良好热稳定性,适用于无线通信、广播设备以及射频测试仪器等场景。

参数

类型:NPN 双极型晶体管
  最大集电极电流 (Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压 (Vce):30 V
  最大集电极-基极电压 (Vcb):30 V
  最大功耗 (Ptot):300 mW
  最大工作频率 (fT):250 MHz
  增益带宽积:250 MHz
  封装类型:SOT-23
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

BZB784-C6V2,115 拥有出色的射频性能和稳定的增益特性,能够在高频条件下提供可靠的放大功能。该器件采用了先进的制造工艺,确保了其在射频应用中的低失真和高线性度表现。其 SOT-23 封装形式不仅体积小巧,而且具备良好的热管理和机械稳定性,适合高密度 PCB 设计。此外,该晶体管在宽频率范围内保持稳定的增益响应,使其在射频信号放大和调制电路中表现出色。
  该晶体管还具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。其低噪声系数和高电流增益(hFE)使其非常适合用于射频前端放大器和混频器电路。此外,BZB784-C6V2,115 在射频电路中表现出较低的互调失真,有助于提高系统的整体信号质量。

应用

BZB784-C6V2,115 主要用于射频功率放大、无线通信设备、广播发射器、射频测试仪器以及各类射频模块。它适用于需要在高频条件下进行信号放大的场景,例如 GSM、CDMA、WCDMA、Wi-Fi 和蓝牙等无线通信系统中的射频前端电路。此外,该晶体管也可用于射频混频器、振荡器和调制解调器等电路中,提供高质量的信号处理能力。

替代型号

BC847B, NPN, 45V, 100mA, SOT-23; 2N3904, NPN, 40V, 200mA, TO-92; BFQ54, NPN, 30V, 100mA, SOT-23

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BZB784-C6V2,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管/齐纳阵列
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)6.2V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电3µA @ 4V
  • 配置1 对共阳极
  • 功率 - 最大180mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)6 欧姆
  • 容差±5%
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称934056306115BZB784-C6V2 T/RBZB784-C6V2 T/R-ND