时间：2025/8/2 6:25:01
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DMN5040LSS-13 是一款由 Diodes 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，提供高效率和低导通电阻特性，适用于需要高性能功率管理的电子系统。DMN5040LSS-13 采用 SOT26（SC-74A）封装，具有小型化和轻量化的特点，适合便携式设备和高密度电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：50V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=4.5V时为0.043Ω，@Vgs=2.5V时为0.058Ω
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C至+150°C
DMN5040LSS-13 MOSFET 采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻和高开关速度的特性，适用于高效能的功率管理应用。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率，并降低发热。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，增强了系统的可靠性和耐用性。SOT26 封装形式使得该 MOSFET 非常适合用于空间受限的设计，例如智能手机、平板电脑、电源管理模块和其他便携式电子产品。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，在 2.5V 至 4.5V 范围内均可有效工作，适应多种控制电路设计需求。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统性能。DMN5040LSS-13 还具有良好的抗静电能力，提升了在实际应用中的稳定性和耐用性。
DMN5040LSS-13 MOSFET 广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC 转换器、负载开关、电源管理单元、LED 驱动器和马达控制电路等场景。其优异的性能使其成为许多中功率应用中的首选器件，特别是在需要高效能、高可靠性和小尺寸封装的设计中。此外，该器件也可用于工业自动化设备、传感器电路和嵌入式系统中的电源切换和管理。
Si2302DS, DMN5040LSS-13, FDN5040N
