时间：2025/6/14 19:42:06
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251R15S131KV4E 是一种高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率和高可靠性应用设计。它适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻和开关性能之间实现了良好的平衡。
型号：251R15S131KV4E
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ (典型值，@ Vgs=10V)
栅极电荷(Qg)：80nC (典型值)
开关时间：开通延迟时间 t(on,delay)=17ns (典型值)，关断传播时间 t(off,fall)=39ns (典型值)
封装形式：TO-247
251R15S131KV4E 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够减少导通损耗并提升系统效率。
2. 快速的开关速度，有助于降低开关损耗，适用于高频工作环境。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下仍能稳定运行。
4. 出色的热稳定性，允许更高的功率密度和更紧凑的设计。
5. 内置静电保护电路，提高了器件的鲁棒性和抗干扰能力。
6. 支持大电流操作，满足高功率应用场景的需求。
该芯片广泛应用于多个领域：
1. 开关电源（SMPS）中作为主功率开关管使用。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或控制开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
4. 工业自动化设备中的负载切换与保护功能。
5. 汽车电子系统中的高可靠性功率管理组件。
6. 通信电源和其他需要高效功率转换的应用场景。
251R15S131KV4D, IRF540N, FDP15N60
