类型：功率MOSFET
　　最大漏极电压(Vdss)：800V
　　最大漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rdson)：2.5Ω
　　栅极电荷(Qg)：18nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220
　　最大功耗(Pd)：50W

Q4008R5功率MOSFET的一个显著特性是其高耐压能力，最大漏极电压可达800V，这使得它非常适合用于高压电路中。此外，该器件的导通电阻仅为2.5Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。它的最大漏极电流为4A，具备较强的负载能力。
　　Q4008R5的开关速度快，栅极电荷仅为18nC，这意味着它能够在高频应用中保持较低的开关损耗，从而提高整体系统性能。同时，其工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，保证了在极端环境下的可靠性。
　　这款MOSFET采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，能够有效应对高功率应用中的热量积聚问题。最大功耗为50W，表明其在连续工作条件下具备良好的稳定性。

Q4008R5广泛应用于各种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、逆变器、马达驱动器和电池管理系统。在开关电源中，Q4008R5作为主开关元件，负责高效的能量转换，减少能量损耗。在马达驱动器中，它能够提供稳定的电流输出，确保马达的平稳运行。
　　此外，Q4008R5还常用于工业自动化设备、家用电器和汽车电子系统中。例如，在变频空调中，该MOSFET可用于控制压缩机的运转；在电动车中，可用于电池管理系统中的开关控制。由于其高可靠性和耐高压特性，Q4008R5在需要高稳定性的应用中表现出色。

IRF840, STP4NK80Z