时间：2025/8/7 8:46:01
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Q4006R是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电机驱动、开关电源（SMPS）以及工业自动化设备等高要求场景。Q4006R采用先进的平面工艺制造，提供高效的开关性能和可靠的长期稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：1.5A（在25°C下）
导通电阻（Rds(on)）：最大1.5Ω（在Vgs=10V时）
耗散功率（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
Q4006R是一款专为高压应用设计的MOSFET，其600V的漏源击穿电压使其非常适合用于高电压开关电源和DC-DC转换器。该器件在Vgs=10V时的导通电阻典型值为1.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，其1.5A的连续漏极电流能力能够在小功率应用中提供稳定的电流输出。Q4006R的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适用于多种标准PCB安装场景。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，设计时可配合标准驱动电路使用。此外，其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境下稳定运行。Q4006R的制造工艺采用先进的平面技术，确保了器件在高频开关状态下的稳定性和可靠性。
Q4006R主要应用于需要高压、中低电流的功率开关场合，例如反激式和正激式开关电源（SMPS）、高压DC-DC转换器、电机控制电路、照明驱动系统（如LED电源）、工业自动化控制系统以及电源管理模块等。其高耐压和适中的导通电流特性，使其在消费类电子产品和工业设备中都有广泛的应用空间。
Q4006RG、Q4006RM、Q4007R、Q4008R
