IM21GR 时间：2025/12/25 8:48:03 阅读：18

IM21GR 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率晶体管。IGBT 是一种广泛用于高功率电子设备中的半导体器件，结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降的优点。IM21GR 主要设计用于高效率的功率转换应用，如变频器、电机控制、电源管理和工业自动化系统。该器件采用 TO-220 封装，具备良好的热性能和可靠性。

参数

类型：IGBT
　　最大集电极-发射极电压：1200V
　　最大集电极电流：21A
　　最大工作温度：150°C
　　导通压降：约2.1V（典型值）
　　短路耐受能力：有
　　封装类型：TO-220
　　输入电容：约1.5nF
　　输出电容：约0.3nF
　　反向恢复时间：约200ns

特性

IM21GR 的核心特性之一是其优异的导通性能与较低的开关损耗，这使得它在高功率应用中表现出色。该器件的最大集电极-发射极电压可达 1200V，能够承受较高的电压应力，适合于中高功率的逆变器和变频器设计。此外，IM21GR 的最大集电极电流为 21A，确保其在大电流条件下仍能稳定工作。
　　该 IGBT 的导通压降约为 2.1V，在工作过程中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。同时，IM21GR 具备良好的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的短路电流而不损坏，从而提高系统的可靠性。
　　IM21GR 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，适合在高温环境下运行。该封装形式也便于安装在散热片上，进一步优化热管理。TO-220 封装还具备较高的机械强度和电气隔离性能，适用于工业级应用。
　　此外，IM21GR 的输入电容约为 1.5nF，输出电容约为 0.3nF，这意味着它在高频开关应用中具有较低的电容效应，有助于减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。反向恢复时间约为 200ns，进一步优化了其在高频开关电路中的性能。

应用

IM21GR 通常用于需要高功率密度和高效率的电子系统中，尤其是在电力电子变换器和电机驱动器中。例如，在变频器中，IM21GR 可以作为主开关器件，负责将直流电转换为交流电，从而控制电机的转速和转矩。这种 IGBT 也广泛应用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及工业自动化控制系统。
　　在太阳能逆变器中，IM21GR 的低导通压降和高耐压能力使其能够高效地将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，并输送到电网中。由于其良好的热管理和可靠性，IM21GR 非常适合长期运行的光伏系统。
　　在电动汽车充电系统中，IM21GR 可以用于构建高效的充电电路，确保电能的快速和稳定传输。同时，其短路耐受能力也提高了系统的安全性，防止在异常情况下损坏电路。
　　此外，IM21GR 还可用于电机控制应用，如工业电机驱动器和电动工具。其高电流承载能力和快速开关特性使其在这些应用中能够提供稳定的性能，并减少能量损耗。