时间：2025/8/13 1:01:22
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Q2334C-50N 是一款由 IXYS 公司生产的功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高功率和高频应用。这款MOSFET以其高效能、高可靠性和低导通电阻而闻名。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：34A
导通电阻（Rds(on)）：0.085Ω
最大功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
Q2334C-50N MOSFET具有低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。此外，它还具有高热稳定性和耐久性，适合在苛刻的环境条件下使用。该器件的快速开关特性使其适用于高频开关电源和电机控制应用。
这款MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下保护器件不受损坏。其TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高功率操作下的可靠性。
Q2334C-50N MOSFET广泛应用于开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS系统以及需要高效率和高可靠性的工业控制系统中。它的性能特点使其成为许多高功率电子设备的理想选择。
IXFH34N50P, IRFP460, FDPF4N50
