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SPB80N03S2L06T 发布时间 时间:2025/5/10 14:32:43 查看 阅读:19

SPB80N03S2L06T是一款基于硅技术制造的高压功率MOSFET,采用先进的沟槽式结构设计。这款器件专为高频开关应用而优化,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  该器件适用于多种工业及消费类电子领域,例如适配器、充电器、DC-DC转换器以及LED驱动器等。其出色的性能使其成为高能效电源解决方案的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:80A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷(典型值):95nC
  开关频率:高达1MHz
  结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

SPB80N03S2L06T具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少导通损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关能力,适合高频工作环境,有助于减小无源元件尺寸。
  3. 高雪崩能量耐受能力,增强器件在异常条件下的可靠性。
  4. 内置ESD保护功能,提高器件在生产和使用过程中的抗静电能力。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 良好的热性能,便于散热设计,确保长时间稳定运行。

应用

SPB80N03S2L06T广泛应用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器,如降压、升压及正负转换电路。
  3. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
  4. 充电器和适配器设计,提供高效电能转换。
  5. LED照明系统的恒流驱动控制。
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

SPB80N03L06T, STP80NF03L, IRF840

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SPB80N03S2L06T参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)80A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.9 毫欧 @ 80A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 80μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)68 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2530 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO263-3-2
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB