SPB80N03S2L06T是一款基于硅技术制造的高压功率MOSFET,采用先进的沟槽式结构设计。这款器件专为高频开关应用而优化,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
该器件适用于多种工业及消费类电子领域,例如适配器、充电器、DC-DC转换器以及LED驱动器等。其出色的性能使其成为高能效电源解决方案的理想选择。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:80A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极电荷(典型值):95nC
开关频率:高达1MHz
结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
SPB80N03S2L06T具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,可有效减少导通损耗,提升整体效率。
2. 快速开关能力,适合高频工作环境,有助于减小无源元件尺寸。
3. 高雪崩能量耐受能力,增强器件在异常条件下的可靠性。
4. 内置ESD保护功能,提高器件在生产和使用过程中的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 良好的热性能,便于散热设计,确保长时间稳定运行。
SPB80N03S2L06T广泛应用于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器,如降压、升压及正负转换电路。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
4. 充电器和适配器设计,提供高效电能转换。
5. LED照明系统的恒流驱动控制。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
SPB80N03L06T, STP80NF03L, IRF840