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3DD13003H8D 发布时间 时间:2025/8/1 13:23:02 查看 阅读:38

3DD13003H8D是一款常用的NPN型双极晶体管,广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力,适用于各种电子设备中的开关和放大功能。3DD13003H8D是专为高性能功率电子设计而优化的晶体管,其封装形式通常为TO-220或TO-3P,便于散热并适用于高功率应用场景。

参数

晶体管类型:NPN型双极晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):400V
  集电极-基极电压(VCBO):700V
  发射极-基极电压(VEBO):9V
  集电极电流(IC):5A
  功耗(PD):75W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220或TO-3P

特性

3DD13003H8D具有优异的开关特性和高增益性能,使其在高频和高功率应用中表现出色。其高耐压特性允许在高压电路中使用,而不会出现击穿或过早失效。此外,该晶体管的热稳定性良好,能够在高温环境下稳定运行,确保系统的长期可靠性。
  这款晶体管的设计还考虑到了散热需求,采用了高效的散热结构,使得在高电流工作时温度上升得到控制。这不仅提高了器件的寿命,还减少了对额外散热器的依赖,降低了整体系统成本。
  3DD13003H8D还具有较低的饱和压降(VCE(sat)),这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高能效。这种特性对于需要高效率的电源转换器和马达控制电路尤为重要。

应用

3DD13003H8D广泛应用于各种功率电子设备中,如开关电源、逆变器、马达驱动器和功率放大器。它也常用于LED照明驱动、电池充电器以及工业控制系统的功率开关部分。由于其高耐压和高电流能力,该器件非常适合用于需要高压和大电流操作的电路设计。

替代型号

3DD13003K
  3DD13003H8D的替代型号包括2SC5028、2SD1403等,这些晶体管在参数和性能上与3DD13003H8D相近,适用于相似的应用场景。

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