类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：18A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：72A（@TC=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：34mΩ（@Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：24nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Pd）：83W

Q2334-30N 的设计注重效率与可靠性，其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体能效。其先进的封装技术提供了良好的热管理能力，使得在高负载条件下也能保持较低的工作温度，延长了器件的使用寿命。此外，该 MOSFET 具有较高的耐压能力和过载保护特性，能够在极端工作条件下保持稳定运行。
　　该器件采用了优化的晶圆结构，降低了开关损耗，提高了动态性能，适用于高频开关应用。栅极驱动电压范围宽广（通常在 4V 至 20V 之间），允许使用多种栅极驱动器进行控制，提高了设计的灵活性。此外，Q2334-30N 还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压冲击，进一步提升了系统的稳定性和可靠性。
　　TO-220 封装形式便于安装和散热管理，适用于多种 PCB 布局需求。该封装还具有良好的机械强度和耐环境变化能力，适用于工业、汽车及消费类电子等多种应用场景。

Q2334-30N 主要应用于电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池充电器和负载开关控制等。由于其高效的导通性能和良好的热管理能力，该器件也广泛用于电动工具、无人机、工业自动化设备以及汽车电子系统中的电机驱动和电源管理模块。
　　此外，Q2334-30N 适用于高频率开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件，能够有效降低开关损耗，提高电源效率。在电池供电系统中，该器件可用于实现高效的能量转换和管理，延长电池续航时间。同时，其高可靠性和过载保护特性也使其适用于对安全性要求较高的工业控制和汽车应用。

Si4410BDY, FDS6680, IRF3710, FDD3632