时间：2025/5/19 10:52:38
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IRF7103 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Vishay 公司生产。该器件专为高频开关应用而设计，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点。IRF7103 广泛用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、负载开关以及其他需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。
其采用 SO-8 封装形式，适合表面贴装工艺，能够有效节省 PCB 空间。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：19A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：16nC（典型值）
开关时间：开启延迟时间 9ns，下降时间 17ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SO-8
IRF7103 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用，降低开关损耗。
3. 高电流处理能力，支持高达 19A 的连续漏极电流。
4. 小巧的 SO-8 封装，便于在紧凑型设计中使用。
5. 较宽的工作温度范围，能够在恶劣环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
IRF7103 可应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 开关电源（SMPS）设计。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载控制。
4. 电机驱动电路。
5. 工业自动化设备中的功率级控制。
6. 计算机及外设的电源管理模块。
7. 消费类电子产品的充电与保护电路。
IRF7104, IRF7105, Si4463DY
