时间：2025/5/10 14:47:49
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ZVP3310F是一种N沟道增强型垂直扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），由Diodes Incorporated生产。这种MOSFET通常用于高频开关和功率管理应用，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为SOT-223，适用于空间有限的电路设计。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：6.5A
导通电阻：0.07Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：18W
工作温度范围：-55°C至+150°C
ZVP3310F具备优异的电气性能，包括低导通电阻以减少功率损耗，以及快速开关能力以适应高频应用。
该器件采用SOT-223封装，具有良好的散热性能，并且能够承受较高的结温。
ZVP3310F还拥有坚固的设计，可提供更高的可靠性和稳定性，适合于各种恶劣环境下的应用。
ZVP3310F广泛应用于直流电机驱动、开关电源（SMPS）、负载开关、电池保护电路以及其他需要高效功率转换的场合。
由于其出色的开关特性和较低的导通电阻，这款MOSFET特别适合要求低功耗和高效率的便携式电子设备中使用。
此外，它也常被用作信号切换元件或在音频放大器中作为输出级开关。
ZVP3310A
