时间：2025/6/28 15:15:47
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CMP80N04是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及其他需要高效功率管理的应用中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
由于其出色的电气性能和可靠性，CMP80N04被广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。
最大漏源电压：40V
最大漏极电流：80A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：15ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提升整体效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 良好的热稳定性，在极端温度条件下依然保持可靠性能。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代设计中。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的高频功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 各类保护电路中的电子保险丝功能实现。
IRF840, STP80NF06
