类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：25V
　　连续漏极电流（ID）：7.4A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：29.6A
　　导通电阻RDS(on)：17mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：22mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻RDS(on)：27mΩ @ VGS=2.5V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 1.8V
　　栅极电荷（Qg）：11nC @ VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：490pF @ VDS=12.5V
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　最大功耗（PD）：2.5W（TSSOP-8EP）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSSOP-8EP

Q2025N5TP采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，具备极低的导通电阻，这使其在大电流应用中表现出色，能够显著降低功率损耗并提高系统整体能效。其RDS(on)在VGS=10V时仅为17mΩ，在VGS=4.5V时为22mΩ，表明该器件不仅适用于标准驱动条件，也能在低压逻辑电平下高效工作，非常适合由微控制器或数字信号处理器直接驱动的场合。这种低门槛驱动能力大大简化了外围驱动电路的设计，减少了额外驱动芯片的需求，从而降低了系统成本和复杂度。
　　该器件具有优异的开关特性，栅极电荷（Qg）低至11nC，这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，有助于提升开关电源的转换效率并减少驱动IC的负担。同时，较低的输入电容（Ciss=490pF）进一步减小了开关过程中的充放电时间，加快了开关速度，减少了开关过渡期间的能量损耗。这对于诸如同步整流、高频率DC-DC变换器等应用尤为重要，能够在保持高效率的同时实现更高的功率密度。
　　Q2025N5TP的热增强型TSSOP-8EP封装集成了裸露焊盘（exposed pad），可通过PCB上的接地铜箔有效散热，极大提升了器件的热稳定性与长期运行可靠性。即使在有限的空气对流环境中，也能通过PCB传导有效散发热量，避免因过热导致的性能下降或器件损坏。此外，该封装尺寸紧凑，占用PCB面积小，非常适合便携式设备、消费类电子和空间受限的工业模块使用。
　　该MOSFET还具备良好的雪崩耐受能力和抗静电能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在严苛环境下稳定运行，适用于汽车电子、工业控制等对温度适应性要求较高的领域。综合来看，Q2025N5TP凭借其低RDS(on)、快速开关、优良热性能和高可靠性，成为现代高效电源设计中的理想选择之一。

Q2025N5TP广泛应用于各类中低电压功率转换系统中。典型应用场景包括同步降压转换器（Buck Converter），其中它可作为高边或低边开关，利用其低导通电阻和快速开关特性实现高效率能量转换，常见于主板供电、GPU核心电源、FPGA辅助电源等计算机和通信设备电源模块中。此外，该器件也适用于异步整流电路中的续流二极管替代方案，通过主动同步整流进一步提升效率。
　　在负载开关应用中，Q2025N5TP可用于控制电源路径的通断，例如在电池供电设备中管理不同功能模块的供电，防止浪涌电流，实现软启动功能。其低导通电阻确保在导通状态下压降极小，减少了不必要的能耗，延长了电池续航时间。
　　该器件还可用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动结构中作为开关元件，提供精确的电流控制和高效的能量传输。由于支持逻辑电平驱动，可直接连接微控制器GPIO口进行PWM调速控制，简化了驱动电路设计。
　　其他应用还包括热插拔控制器、OR-ing二极管替代、LED驱动电源、USB电源开关以及各类便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、移动电源等内部的电源管理单元。其小型化封装和高功率密度特性特别适合这些追求轻薄短小的产品设计需求。

[
　　 "DMG2305U",
　　 "SI2305DS",
　　 "AO3400",
　　 "FDS6670A",
　　 "BSS138"
　　]