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SCCDPR2R7505QRH100020EP 发布时间 时间:2025/5/7 17:53:14 查看 阅读:6

SCCDPR2R7505QRH100020EP 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制程工艺制造。该器件主要应用于高频开关电源、电机驱动、逆变器以及 DC-DC 转换器等场景。其设计优化了导通电阻和栅极电荷,从而在高频应用中提供出色的效率和更低的功耗。
  该型号中的具体参数表明它具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热性能,适用于对效率和散热要求较高的应用场景。

参数

额定电压:750V
  额定电流:20A
  导通电阻:0.02Ω
  栅极电荷:45nC
  结温范围:-55℃ to 175℃
  封装形式:TO-247

特性

SCCDPR2R7505QRH100020EP 的核心优势在于其低导通电阻和高效率表现。该芯片通过优化的硅片设计和封装技术,显著降低了导通损耗和开关损耗。
  此外,它的耐压能力高达 750V,适合高压环境下的应用需求。同时,其封装形式支持高效的散热管理,确保在高温环境下也能稳定运行。
  该器件还具备优良的短路耐受能力和抗 ESD 性能,进一步提高了系统的可靠性和耐用性。
  其快速开关特性使其非常适合高频应用场景,如光伏逆变器、服务器电源和电动汽车充电设备等。

应用

这款功率 MOSFET 主要用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。典型的应用领域包括但不限于:
  1. 高频开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动与控制
  3. 光伏逆变器
  4. 电动车车载充电器
  5. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换
  6. UPS 不间断电源系统
  由于其高压和大电流处理能力,该器件在工业和汽车级应用中表现出色。

替代型号

SCCDPR2R7505QREH100020EP
  IRFP460
  FDP18N75C

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