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2N2326A 发布时间 时间:2025/7/25 9:57:44 查看 阅读:4

2N2326A是一款NPN型高频晶体管,广泛应用于射频(RF)和中频(IF)放大器电路中。该晶体管采用TO-39金属封装,具有良好的高频特性和稳定性,适合用于通信设备、广播接收器以及各类高频信号放大器。2N2326A在设计上优化了其频率响应,使其在数百兆赫兹范围内表现优异。

参数

类型:NPN型晶体管
  封装形式:TO-39
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30V
  最大功耗(Ptot):400mW
  过渡频率(fT):100MHz
  电流增益带宽积(fT):100MHz
  电流增益(hFE):在Ic=2mA,Vce=5V时为50至300(分不同等级)

特性

2N2326A晶体管具有出色的高频放大能力,适用于中频和射频放大电路。其TO-39金属封装提供了良好的热稳定性和机械强度,确保在高频工作条件下仍能保持稳定性能。
  该晶体管的电流增益范围较宽,可以根据具体应用选择不同等级的器件,以达到最佳的放大效果。此外,2N2326A在低噪声应用中也表现出色,适合作为前置放大器使用。
  由于其良好的线性度和频率响应,2N2326A常用于模拟信号处理电路,如调幅(AM)和调频(FM)接收器中的中频放大器。它还适用于振荡器、混频器和射频功率放大器等高频电路设计。
  在使用过程中,2N2326A应避免超过其最大额定值,特别是在高频率工作条件下,需注意散热设计以防止过热损坏。

应用

2N2326A主要应用于射频和中频放大器电路,适用于通信设备、广播接收器、无线遥控系统以及各类高频信号处理电路。其典型应用包括AM/FM收音机中的中频放大器、射频前端放大器、振荡器、混频器和功率放大器等。此外,它也常用于测试设备和测量仪器中的高频信号放大。

替代型号

2N2326, BF199, BF200, 2N3866

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2N2326A参数

  • 制造商Central Semiconductor
  • 产品种类整流器